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반도체설계산업기사 필기 기출문제(해설) 및 전자문제집 CBT 2008년09월07일

1과목 : 반도체공학

1. 다음 중 4가 원소가 아닌 것은?      1. 탄소(C)      2. 게르마늄(Ge)      3. 인듐(In)      4. 실리콘(Si)      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 80%       <문제 해설> In은 3가 원소로 억셉터 [해설작성자 : 반설과]

2. JFET에서 게이트에 인가하는 역방향 바이어스의 크기를 크게 하여, 공핍층의 폭이 늘어나 채널이끊기게 되는 현상을 일컫는 용어는?      1. 핀치오프(Pinch-off)      2. 터널효과(Tunnel effect)      3. 제너항복(Zener breakdown)      4. 쇼트키장벽(Schottky barrier)      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 83%       <문제 해설> Pinch-off : 전계효과 트랜지스터에 역바이어스 전압을 점차 증가시켜 나가면, 두 전극으로부터 채널에 공핍층이 생겨 채널이 폐쇄되고 드레인 전류가 cut off되는 현상. Tunnel effect : 원자 내부를 기준으로 중심에서 멀어질수록 높은 위치 E(에너지)를 가짐. 중심부 양자가 외부로 이동하려면 그 차이만큼 운동 E가 필요함. 그러나 외부로 벗어나기에 불충분한 E로도 위치 E차이를 이겨내고 원자 외부로 튀어나가는 현상. [해설작성자 : 익명]

3. 다음 중 FET에 있는 3 단자의 명칭이 아닌 것은?      1. 소스(source)      2. 채널(channel)      3. 드레인(drain)      4. 게이트(gate)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 90%       <문제 해설> 채널은 단자가 아닌 Vgs에인해 생기는거 [해설작성자 : 반설과]

4. PN 접합다이오드의 전기적특성인 정류특성(rectification)이란?      1. 전류를 일정 크기 이상으로는 흐르지 못하게 하는 것이다.      2. 전압의 크기에 관계없이 일정한 크기의 전류를 흐르게 하는 것이다.      3. 한 방향으로 전류가 잘 흐르나, 반대 방향으로는 흐르지 못하게 하는 것이다.      4. 시간이 흐름에 따라, 전류의 크기가 비례적으로 감소하면서 흐르게 하는 것이다.      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 87%       <문제 해설> 정류 = 한 방향으로 흐르는 전류를 만드는 작용 [해설작성자 : 반설과]

5. 원자번호 14인 Si 원자의 최외각(M각) 전자는 몇 개인가?      1. 1      2. 4      3. 8      4. 10      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 88%       <문제 해설> 2 2 4 2 (4) 최외각전자가 원자 번호임 [해설작성자 : 반설과]

6. 실리콘(Si) NPN 바이폴라 트랜지스터의 순방향 바이어스된 베이스와 이미터 사이의 전압은 어느 정도인가?      1. 0[V]      2. 0.3[V]      3. 0.7[V]      4. 1[V]      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 85%       <문제 해설> 문턱전압 0.7 [해설작성자 : 반설과]

7. 열평형 상태의 PN 접합에서 캐리어 확산에 의해 전계가 생긴 영역을 일컫는 용어가 아닌 것은?      1. 공핍영역(depletion region)      2. 포화영역(saturation region)      3. 천이영역(transition region)      4. 공간전하영역(space charge region)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 55%       <문제 해설> 열평행은 전류가 흐르지않는 상태 [해설작성자 : 반설과]

8. 다음 다이오드 중 역방향 바이어스 항복 전압에 상관없이 정상적으로 동작하는 것은?      1. 정류기(Rectifier)      2. 제너 다이오드(Zener diode)      3. 바랙터 다이오드(Varactor diode)      4. 스위칭 다이오드(Switching diode)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 83%       <문제 해설> 항복전압은 다이오드가 버티다가 어쩔수없이 역방향으로 전류를 흐르는거라고 이해하면 쉬움 제너다이오드는 역방향으로 흐르게하기 의해 만든 다이오드 [해설작성자 : 반설과]

9. PN 접합의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?      1. 금지대 폭이 큰 반도체일수록 항복 전압이 낮다      2. 포화전류가 흐르도록 하는 바이어스 방향은 순방향 바이어스이다.      3. N 영역이 음(-)이 되도록 외부 전압을 인가하면 포화 전류가 흐른다.      4. 역방향 전압을 점점 증가시켜 가면 어느 임계전압에서 전류가 급증하게 되는데, 이 현상을 항복 현상이라고 한다.      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 90%       <문제 해설> 1. 금지대 폭이 낮으면 2. 포화 ㄴㄴ 3. 양(+) [해설작성자 : 반설과]

10. PN 접합에 대한 설명으로 옳은 것은?      1. P형과 N형의 반도체가 같은 물질로 된 것을 헤테로(hetero) 접합이라고 한다.      2. 성장 접합법에서는 접합의 진행과정을 적당히 조절하면 P형에서 갑자기 N형으로 변화 하는 계단형 접합을 구현할 수 있다.      3. 일반적으로 Si 반도체 웨이퍼의 제조는 성장접합법을 이용하며, 웨이퍼 위에 소자를 만들때에는 확산 접합법을 이용한다.      4. 합금 접합법에서는 용융된 실리콘 표면에 종자결정을 접촉시킨 후 서서히 인상하면서 종자결정과 같은 구조로 성장시켜 단결정을 얻는 과정에서 P형 및 N형 불순물을 차례로 넣어주어 PN 접합을 만든다.      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 76%

11. 전계효과트랜지스터(FET)를 단극성 소자라 하는 이유는?      1. 전자와 정공으로 FET가 동작하기 때문이다.      2. 다수 캐리어만으로 FET가 동작하기 때문이다.      3. 소스와 드레인 영역의 성질이 같기 때문이다.      4. 게이트를 중심으로 대칭구조를 갖기 때문이다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

12. 순수 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위 0.9[eV], 가전자대의 준위가 1.6[eV]이면 순수반도체의 에너지 캡은?      1. 2.5[eV]      2. 0.7[eV]      3. 0.9[eV]      4. 0.8[eV]      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 84%       <문제 해설> 가전자대 - 전도대 [해설작성자 : 반설과]

13. 다음 중 N형 반도체를 만들기 위해 필요한 도너(donor) 불순물은?      1. B      2. Al      3. P      4. In      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 82%       <문제 해설> 억셉터-B, Al, Ga, In 과 같이 3가 원소, 정공을 생성, P형 반도체 도너-P, As, Sb, Bi 와 같이 5가 원소, 전자 생성, N형 반도체 [해설작성자 : JSH]

14. 트랜지스터의 증폭계수 α와 β의 관계에서 α가 0.99인 트랜지스터의 β 값은?      1. 49.7      2. -99      3. 99      4. 2.01      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%       <문제 해설> 베타 = 알파/1-알파 [해설작성자 : 반설과]

15. P형과 N형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?      1. P형: 전자, N형: 전자      2. P형: 정공, N형: 정공      3. P형: 전자, N형: 정공      4. P형: 정공, N형: 전자      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 91%       <문제 해설> P형의 뜻은 POSITIVE 즉 상대적으로 양을 띄는것이고 N형은 반대로 NEGATIVE 즉 상대적으로 음을 띄는것이다. 그러므로 P는 정공이 다수반송자이고, N은 전자가 다수반송자다. [해설작성자 : ㄱㅁㄱ ㅅㄱㅈ]

16. 다음 중 실리콘(Si) 및 게르마늄(Ge)의 결합 구조는?      1. 공유결합      2. 이온결합      3. 수소결합      4. 금속결합      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 84%       <문제 해설> 실리콘과 게르마늄의 최외각전자는 4이다. 안정된 최외각 전자인 8개의 전자를 갖기 위해 서로 4개의 전자를 공유하는 공유결합을 한다. [해설작성자 : JSH]

17. 단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 셀 당 포함되는 원자의 개수는?      1. 1      2. 2      3. 3      4. 4      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 82%       <문제 해설> 단순입방 = 육각면체 각 모서리에 구의 1/8만큼 [해설작성자 : 반설과] 하나의 입자는 각기 다른 8개의 세포와 공유하게 되므로, 단위세포 속 입자의 수는 1(=1/8x8)개가 된다. [해설작성자 : 반설과]

18. NMOS FET(n channel MOSFETC NMOSFET)에서 게이트전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 ID가 흐르기 시작한다. ID가 흐르기 시작하는 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?      1. 문턱전압      2. 바이어스전압      3. 포화전압      4. 항복전압      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 81%       <문제 해설> Threshold Voltage, 방과 방 사이를 구분하는 문턱처럼 전류의 흐름이 변하는 전압의 임계점 [해설작성자 : JSH]

19. 반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?      1. 가전자대      2. 충만대      3. 금지대      4. 전도대      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 80%

20. 다음 표는 접지형 트랜지스터의 바이어스 방식에 따른 분류이다. ( ) 안에 해당하는 것은?           1. a : 불포화영역, b : 차단영역      2. a : 포화영역, b : 불활성영역      3. a : 차단영역, b : 불활성영역      4. a : 포화영역, b : 활성영역      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 79%       <문제 해설> 동작모드         E-B         C-B             동작 차단모드        역방향    역방향    개방스위치 활성모드        순방향    역방향        증폭기 포화모드        순방향    순방향    도통스위치 역활성모드    역방향    순방향             - [해설작성자 : JSH]

2과목 : 전자회로

21. 무부하 출력전압이 24[V]인 전원장치에 부하연결시 출력전압이 22[V]이면 접압 변동률은 약 몇 [%] 인가?      1. 5[%]      2. 7[%]      3. 9[%]      4. 10[%]      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 74%       <문제 해설> 무부하 - 전부하 / 전부하 *100 [해설작성자 : 반설과]

22. 다음 중 컬렉터 접지 증폭기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?      1. 이미터 폴로워라고도 한다.      2. 전압 이득을 크게 얻을 수 있다.      3. 입ㆍ출력 전압 위상은 동위상이다.      4. 출력임피던스는 이미터 접지 증폭기보다 낮다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 47%       <문제 해설> CC= Common Collecter 이미터 플로우라고도 하고 입력임피던스 높고 출력 임피던스 낮음 전압이득은 1보다 작거나 같음 [해설작성자 : 반설과]

23. 다음 중 피어스 수정 발진회로의 발진주파수 변동 요인으로 가장 적합하지 않은 것은?      1. 부하의 변동      2. 주위 온도의 변화      3. 전원전압의 변동      4. 발진회로의 차폐      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 61%       <문제 해설> 발진주파수변동 원인 및 대책 부하-완충증폭기 온도-항온조 전원전압-전원안정화회로 [해설작성자 : JSH]

24. 다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는 몇 [A]인가? (단, 제너 다이오드의 제너항복전압(Vz)은 10[V]이다.)           1. 0.3[A]      2. 0.4[A]      3. 0.5[A]      4. 0.6[A]      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 54%       <문제 해설> 제너다이오드에 걸리는 전압은 100옴 저항에 걸리는 전압과 같음 (10V) 전압강하값 제너다이오드와 100옴에 걸리는 전류의 합은 10옴 저항에 걸리는 전류와 같음 10저항에 걸리는 전류는 5/10 = 0.5 100옴에 걸리는 전류는 10V/100 = 0.1 제너다이오드에 걸리는 전류는 0.5-0.1 [해설작성자 : 반설과]

25. 다음 중 트랜지스터 증폭기 설계 시 동작점(Q점) 결정에 가장 영향이 적은 것은?      1. 왜곡      2. 최대정격      3. 주파수 특성      4. 입력신호의 크기      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 56%

26. 어떤 증폭기의 전압 증폭도가 100 이고 전류 증폭도가 10일 때 전력이득은 몇 [dB] 인가?      1. 20[dB]      2. 30[dB]      3. 40[dB]      4. 60[dB]      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 41%       <문제 해설> 전력이득=전압이득X전류이득=1000 전력이득을 dB값으로 나타내려면 10Xlog|전력이득| 때문에 10Xlog1000=30dB [해설작성자 : JSH]

27. 다음 그림의 회로 명칭으로 가장 적합한 것은? (단, R1 = R2 = R3 = R4 이다.)           1. 이상기      2. 대수증폭기      3. 차동증폭기      4. 부호변환기      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 77%

28. 이미터 접지 트랜지스터 증폭회로에서 입력신호와 출력신호간의 위상차는 얼마인가?      1. 0°      2. 90°      3. 180°      4. 360°      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 72%       <문제 해설> CE는 입출력의 위상차가 180도 [해설작성자 : 반설과]

29. 다음 중 구형파를 발생시키는 회로로 적합하지 않은 것은?      1. 슈미트 트리거 회로      2. 클램핑 회로      3. 타이머 555 회로      4. 비안정 멀티바이브레이터      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 58%       <문제 해설> 클램핀 회로는 사인차 [해설작성자 : 반설과]

30. 차동증폭기에서 공통성분 제거비(CMRR)에 대한 설명 중 옳은 것은?      1. 동상이득이 클수록 CMRR이 커진다.      2. 차동이득이 클수록 CMRR이 커진다.      3. CMRR은 으로 정의된다.      4. CMRR이 클수록 차동증폭기의 성능이 좋다.      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 51%       <문제 해설> 2번 - 차동이득이 작을 수록 커진다 [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

31. 다음 증폭기 회로에서 이미터 저항 RE를 사용하는 이유로 가장 적절한 것은?           1. 회로의 안정화      2. 전압 증폭도의 증가      3. 주파수 대역폭의 감소      4. 전류 증폭도의 증가      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 70%

32. 전압이득의 1000, 왜율이 10[%]인 무궤환 증폭기에 궤환율 β = 0.01의 부궤한을 걸었을 때 왜율은 약 몇 [%] 인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)      1. 0.1[%]      2. 0.91[%]      3. 1.0[%]      4. 5.12[%]      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 64%       <문제 해설> 아래와 같은 오류 신고가 있었습니다. 여러분들의 많은 의견 부탁 드립니다. 추후 여러분들의 의견을 반영하여 정답을 수정하도록 하겠습니다. 참고로 정답 변경은 오류 신고 5회 이상일 경우 수정합니다. [오류 신고 내용] 3번 0.1=D/(1+0.01*1000) D=0.1*11 D=1.1 [해설작성자 : comcbt.com 이용자] [관리자 입니다. 다른 문제집 확인 가능한분 계시면 확인 부탁 드립니다. 신고시 출판사명까지 기제 부탁 드립니다.]

33. 진폭변조(DSB) 방식에서 변조도를 80[%]로 하면 피변조파의 전력은 반송파 전력의 몇 배가 되는가?      1. 1.1배      2. 1.32배      3. 1.64배      4. 2.16배      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 53%       <문제 해설> 반송파전력*(1+변조도^2/2) 가 식임 [해설작성자 : 반설과]

34. 부궤환 증폭기에서 무궤환 시 증폭도를 A, 궤환 시 증폭도를 Af, 궤환율을 β라 할 때, A가 대단히 크다고 하면 Af는 주로 무엇에 의해서 결정되는가?      1. A      2.      3.      4.      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 68%       <문제 해설> Af = A/1+A*베타 약분하고 이득(A)은 무수히 크기때문에 1은 무시가능. 결국 1/베타 [해설작성자 : 반설과]

35. 다음 연산증폭기 회로에서 RL에 흐르는 전류가 2.5[mA] 일때 RL 값은 몇 [kΩ] 인가?           1. 4[kΩ]      2. 5[kΩ]      3. 6.5[kΩ]      4. 7.2[kΩ]      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 68%

36. RC 결합 저주파 증폭기에서 앞 단에 흐르는 전류 성분 중 다음 단으로 넘어가는 것은?      1. 직류분      2. 교류분      3. 직류뷴 + 교류분      4. 직류분 - 교류분      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 52%

37. 다음 중 fr(단위 이득 주파수)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?      1. 증폭기의 이득이 0[dB]가 되는 주파수      2. 증폭기의 이득이 10[dB]가 되는 주파수      3. 증폭기의 이득이 최대 이득에서 3[dB]가 떨어지는 주파수      4. 증폭기의 이득이 최대 이득에서 6[dB]가 떨어지는 주파수      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 55%

38. 트랜지스터 증폭기의 중간영역에서의 전류이득을 0[dB]라고 할 때 α 차단주파수에서의 전류이득은 몇 [dB] 인가?      1. 0[dB]      2. -1[dB]      3. -3[dB]      4. -6[dB]      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 67%

39. 다음 중 직렬 전압 부궤한 회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?      1. 전압 이득의 감소      2. 주파수 대역폭의 증가      3. 비직선 일그러짐의 감소      4. 입력 및 출력 임피던스의 증가      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 57%

40. 다음 중 연산증폭기의 응용 회로에 속하지 않는 것은?      1. 위상기      2. 가산기      3. 계수기      4. 적분기      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 47%

3과목 : 논리회로

41. 2진수 1011.11을 10진수로 표시하면?      1. 101.6      2. 15.75      3. 11.75      4. 10.6      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 86%

42. 4단 하향 Counter에서 10번째 클럭펄스가 인가되면 각단이 나타내는 2진수를 10진수로 변환하면?      1. 6      2. 7      3. 8      4. 9      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 77%

43. 송신기가 ASCⅡ 코드 1100101을 홀수 패리티를 사용하여 전송한다면 11001011을 보내게 된다. 이 때, 수신측에서의 논리적인 검사방식에 주로 사용되는 논리회로는?      1. AND      2. NOT      3. OR      4. EX-OR      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

44. 메모리에 새로운 워드를 저장시키려 한다. 올바른 순서는?           1. ㉠ - ㉡ - ㉢      2. ㉢ - ㉡ - ㉠      3. ㉠ - ㉢ - ㉡      4. ㉢ - ㉠ - ㉡      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 64%

45. (4)10을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?      1. 0100(G)      2. 1100(G)      3. 0110(G)      4. 0010(G)      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 52%

46. 다음 중 10개의 플립플롭을 사용하여 만들 수 있는 카운터의 모듈러스 값과 최대 카운터 값으로 올바른 것은?      1. 10, 9      2. 100, 99      3. 1024, 1023      4. 1000, 999      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 76%

47. 다음 코드(code) 변환 회로의 명칭은?           1. BCD-9의 보수 변환기      2. BCD-3초과 코드 변환기      3. BCD-2421 코드 변환기      4. BCD-GRAY 코드 변환기      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 71%

48. Toggling 상태를 이용한 플립플롭 형태는?      1. RS 플립플롭      2. D 플립플롭      3. JK 플립플롭      4. T 플립플롭      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 69%

49. 다음 논리식을 카르노 맵으로 올바르게 나타낸 것은?           1.      2.      3.      4.      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 81%

50. 마스터슬레이브 JK 플립플롭을 사용하는 이유는?      1. 지연시간을 짧게 하기 위해      2. 지연시간을 길게 하기 위해      3. 클럭펄스를 사용할 수 없을 때      4. 레이싱(racing) 현상을 없애기 위해      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 72%

51. 자기 보수성을 갖고 있는 코드 방식이 아닌 것은?      1. 3-초과코드 방식      2. BCD코드 방식      3. 8421코드 방식      4. 2421코드 방식      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 67%

52. 다음 논리회로의 기능을 나타낸 이름 중 옳은 것은?           1. 인코더(encoder)      2. 디코더(decoder)      3. 반가산기(half-adder)      4. 전가산기(full-adder)      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 68%

53. 다음 진리표를 보고 논리식을 바르게 구한 식은?           1.      2.      3.      4.      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

54. 그림과 같은 회로도의 출력 F는?           1.      2.      3.      4.      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 79%

55. 동기식 카운터와 비동기식 카운터를 비교 설명한 것 중 맞는 것은?      1. 동기식 카운터는 각 플립플롭의 colck에 동기되는 카운터이다.      2. 동기식 카운터는 비동기식 카운터에 비해서 안정되지 못하는 결점이 있다.      3. 동기식과 비동기식 카운터는 플립플롭에 공통으로 클럭(clock)이 공급된다.      4. 동기식 up-counter는 기억소자로 응용될 수 있다.      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 54%

56. 다음 그림의 파형이 Positive 에지 트리거 D플립플롭의 입력으로 들어간다. 플립플롭에서 클럭펄스(CLK) 후 출력(Q)의 값은?           1. 불변      2. 반전      3. 1      4. 0      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 50%

57. 논리 게이트의 특성을 결정하는 각 요인들에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?      1. 논리 게이트의 입력 파형과 출력 파형 사이에 발생하는 시간 지연을 지연 시간이라 한다.      2. 논리 게이트의 입ㆍ출력 특성 곡선에서 입력전압에 대한 출력 전압의 High level과 Low level 사이의 전압차를 논리 스윙이라 한다.      3. 논리 회로가 취급할 수 있는 입력 단자의 수를 팬 인(fan-in)이라 한다.      4. 논리 회로가 취급할 수 있는 입력 단자의 수를 팬 아웃(fan-out)이라 한다.      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 66%

58. 2진 데이터를 펀치한 카드 덱크기 있다고 한다. 각 카드에는 24개의 36비트 어(WORD)가 들어있다. 만약 카드가 분당 600장의 속도로 읽힌다면 데이터가 계산기에 들어가는 속도는 초당 몇 비트인가?      1. 5184000      2. 17280      3. 8684      4. 4320      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 57%

59. 다음 그림의 캐스케이드 계수기의 구성에서 총 모듈을 구하면?           1. 36      2. 72      3. 144      4. 1536      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 62%

60. 다음 논리회로의 이름은?(정확한 내용을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 내용작성 부탁드립니다. 정답은 4번입니다.)      1. 디코더      2. 인코더      3. 디멀티플렉서      4. 멀티플렉서      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

61. 게이트 전압(VG)이 기판 전압(VB)보다 낮은 전위를 갖는 경우, MOS 구조의 동작 모드는?      1. 반전 모드(Inversion Mode)      2. 공핍 모드(Depletion Mode)      3. 증가 모드(Enhancement Mode)      4. 축적 모드(Accumulation Mode)      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 58%

62. 실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연 시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 특히, 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우 최종 출력에서 발생하는 spike나 glitch 등을 방지하기 위한 방법은?      1. 타이밍 시뮬레이션(Timing Simulation)      2. 구조적 시뮬레이션(Structural Simulation)      3. 계층적 시뮬레이션(Hierarchical Simulation)      4. 기능성 시뮬레이션(Functionality Simulation)      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 68%

63. 다음 CMOS 공정 중에서 가장 먼저 하는 공정은?      1. n-well 형성      2. active 영역 정의      3. metal 증착 및 배선      4. 소스, 드레인 확산 형성      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 71%

64. 다음 중 레이아웃 할 때 배선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?      1. 블록의 배치가 끝나면 블록 사이의 신호선의 연결, 즉 배선을 한다.      2. 전원과 접지선, 클럭 등 중요 신호선은 여타 신호선의 배선 후 마지막에 한다.      3. 전원과 접지선을 배선할 때에는 가능한 충분한 폭을 확보하는 것이 중요하다.      4. 타이밍 상 중요한 신호는 먼저 연결하여 짧은 배선이 가능하도록 한다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

65. MOS 논리회로의 특성 중 옳지 않은 것은?      1. 조합논리회로는 현재의 입력 값에 의해서만 출력이 결정된다.      2. 순차논리회로는 현재의 입력과 과거의 입력으로 출력이 결정된다.      3. 순차논리회로는 래치(latch)나 플립플롭의 기억소자를 포함한다.      4. MOS 논리회로에서 용량성 노드는 고려할 필요가 없다.      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 74%

66. N채널 증가형 MOSFET에서 드레인 전류를 흐르게 하려면 게이트 전압을 어떻게 해야 하는가?      1. 0 의 전위를 인가해야 한다.      2. 양(+)의 전압을 인가해야 한다.      3. 음(-)의 전압을 인가해야 한다.      4. 양(+), 음(-)의 전압에 관계없다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 65%

67. VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계 원칙이 아닌 것은?      1. 정규성(Regularity)      2. 논리성(Logicality)      3. 모듈성(Modularity)      4. 국지성(Locality)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 58%

68. CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMOS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n 층과 p 층간의 결합(n-p-n-p 또는 p-n-p-n)에 의해 기생 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스터가 결합되어 Vdd와 Vss 사이에 전류 통로가 형성되는 현상을 무엇이라 하는가?      1. 단락(Short)      2. 래치업(Latch-up)      3. 상호연결 기생요소      4. ESD(Electrostatic Discharge)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

69. 다음 중 Integrated Circuit(IC)에 포함시키기가어려운 소자는?      1. 트랜지스터(Transistor)      2. 다이오드(Diode)      3. 코일(Coil)      4. 저항(Resistor)      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 77%

70. 결정 내의 스트레인과 결함을 줄이고, 단결정의 성장을 촉진시키기 위해 웨이퍼를 일정시간 온도가 높은 곳에서 의도적으로 넣어두는 것을 무엇이라 하는가?      1. 도핑(doping)      2. 어닐링(annealing)      3. 코팅(coating)      4. 테이퍼링(tapering)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 79%

71. 다음 중 CMOS NAND 게이트의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?      1. PMOS 쪽은 병렬, NMOS 쪽은 직렬로 트랜지스터들이 연결되어 있다.      2. PMOS 쪽은 병렬, NMOS 쪽도 병렬로 트랜지스터들이 연결되어 있다.      3. PMOS 쪽은 직렬, NMOS 쪽도 직렬로 트랜지스터들이 연결되어 있다.      4. PMOS 쪽은 직렬, NMOS 쪽도 병렬로 트랜지스터들이 연결되어 있다.      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 63%

72. 2개 변수와 그 기능이 바르게 연결되지 않은 것은?      1.      2.      3.      4.      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 65%

73. 다음 모노리틱(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?      1. 에피택셜(Epitaxial) 성장      2. 산화막(Oxide) 생성      3. 알루미늄 증착      4. 불순물 확산      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 76%

74. 다음 중 VLSI 제작 과정이 옳은 것은?      1. 설계 규격 (→) 논리회로 설계 (→) 아키텍처 설계 (→) 레이아웃 설계 (→) 마스크 제작 (→) 칩 제작      2. 설계 규격 (→) 레이아웃 설계 (→) 논리회로 설계 (→) 아키텍처 설계 (→) 마스크 제작 (→) 칩 제작      3. 설계 규격 (→) 아키덱처 설계 (→) 레이아웃 설계 (→) 논리회로 설계 (→) 마스크 제작 (→) 칩 제작      4. 설계 규격 (→) 아키덱처 설계 (→) 논리회로 설계 (→) 레이아웃 설계 (→) 마스크 제작 (→) 칩 제작      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 54%

75. 베이스 폭이 3×10-3[cm] 일 때 펀치-슬로 전압Vpt가 7[V]인 PNP 트랜지스터에서 베이스 폭이 6×10-3[cm]으로 증가하면 Vpt는 얼마인가?      1. 25[V]      2. 26[V]      3. 27[V]      4. 28[V]      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 50%

76. 다음 사진 식각 공정을 이용한 산화막 식각 공정을 올바른 순서를 나열한 것은?           1. ㉮(→) ㉯(→) ㉰(→) ㉱(→) ㉲      2. ㉮(→) ㉰(→) ㉯(→) ㉱(→) ㉲      3. ㉮(→) ㉱(→) ㉯(→) ㉰(→) ㉲      4. ㉮(→) ㉱(→) ㉰(→) ㉯(→) ㉲      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 73%

77. 집적회로 구현을 위한 웨이퍼 제조 공정에 해당하지 않은 것은?      1. 현상 공정      2. 확산 공정      3. 박막 공정      4. 칩 테스팅 공정      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 77%

78. MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 VG가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계 면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은?      1. 공핍 모드(Depletion mode)      2. 반전 모드(Inversion mode)      3. 축적 모드(Accumulation mode)      4. 바디 바이어스 효과(Body bias effect)      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 61%

79. CMOS domino 로직회로를 사용할 때의 특성에 해당되지 않는 것은?      1. 팬 아웃(fan-out)은 항상 1 이다.      2. EX-OR 와 같은 회로 구성으로 적합하다.      3. 인버터를 사용하므로 구동 능력이 늘어난다.      4. 같은 형태의 논리회로를 연속으로 연결할 수 있다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 58%

80. CMOS 디저털 집적회로의 동적 전력소모에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?      1. 전원 전압이 클수록 증가한다.      2. 동작 주파수가 클수록 감소한다.      3. 캐패시턴스 성분이 클수록 증가한다.      4. 전력소모가 크면 동작온도가 증가한다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 54%       <문제 해설> 동작주파수= 계산속도로 생각 할 수 있다. 계산이 빠를 수록 전력소모는 커진다. [해설작성자 : 해설작성자]

반도체설계산업기사 필기 기출문제(해설) 및 CBT 2008년09월07일을 이용해 주셔서 감사합니다.
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