자격증 필기 기출문제




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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 전자문제집 CBT 2008년05월11일


1과목 : 전기자기학


1. 자극의 세기가 8×10-6 [Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm] 인가?
     1. 1.44×10-4 [Nㆍm]
     2. 1.44×10-5 [Nㆍm]
     3. 3.02×10-4 [Nㆍm]
     4. 3.02×10-5 [Nㆍm]

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2. 다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
     1. 내부 자계는 위치에 상관없이 일정하다.
     2. 내부 자계와 외부 자계는 그 값이 같다.
     3. 외부 자계는 솔레노이드 근처에서 멀어질수록 그 값이 작아진다.
     4. 내부 자계의 크기는 0 이다.

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3. 반지름 1[cm]인 원형코일에 전류 10[A]가 흐를 때, 코일의 중심에서 코일면에 수직으로 cm 떨어진 점의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가?
     1. 1/16×103 [A/m]
     2. 3/16×103 [A/m]
     3. 5/16×103 [A/m]
     4. 7/16×103 [A/m]

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4. 전지에 연결된 진공 평행판 콘덴서에서 진공 대신 어떤 유전체로 채웠더니 충전전하가 2배로 되었다면 전기감수율(susceptibility) Xer은 얼마인가?
     1. 0
     2. 1
     3. 2
     4. 3

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5. 길이가 1[cm], 지름이 5[mm]인 동선에 1[A]의 전류를 흘렸을 때 전자가 동선을 흐르는 데 걸린 평균 시간은 대략 얼마인가? (단, 동선에서의 전자의 밀도는 1×1028 [개/m3 ]라고 한다.)
     1. 3[초]
     2. 31[초]
     3. 314[초]
     4. 3147[초]

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6. 유전체내의 전속밀도를 정하는 원천은?
     1. 유전체의 유전률이다.
     2. 분극 전하만이다.
     3. 진전하만이다.
     4. 진전하와 분극 전하이다.

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7. 다음 중 전계 E 가 보존적인 것과 관계되지 않는 것은?
     1. eEdℓ = 0
     2. E = -grad V
     3. rot E = 0
     4. div E = 0

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8. 반지름이 3cm 인 원형 단면을 가지고 있는 환상 연철심에 코일을 감고 여기에 전류를 흘려서 철심 중의 자계 세기가 400[AT/m]가 되도록 여자할 때, 철심 중의 자속밀도는 약 몇 [Wb/m2] 인가?
     1. 0.2 [Wb/m2]
     2. 0.8 [Wb/m2]
     3. 1.6 [Wb/m2]
     4. 2.0 [Wb/m2]

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9. 진공 중의 점 A에서 출력 50[kW]의 전자파를 방사하여 이것이 구면파로서 전파할 때 점 A에서 100[km] 떨어진 점 B에 있어서의 포인팅 벡터값은 약 몇 [W/m2] 인가?
     1. 4×10-7 [W/m2]
     2. 4.5×10-7 [W/m2]
     3. 5×10-7 [W/m2]
     4. 5.5×10-7 [W/m2

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10. 전위함수 V = 5x2 y+z[V]일 때 점(2, -2, 2)에서 체적전하밀도 ρ[C/m3]의 값은? (단, ε0는 자유공간의 유전율이다.)
     1. 5 ε0
     2. 10 ε0
     3. 20 ε0
     4. 25 ε0

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11. 간격 3[cm], 면적 30[cm2]의 평판콘덴서에 220[V]의 전압을 가하면 양판 간에 작용하는 힘은 약 몇 [N]인가? (단, 유전율 ε0 = 8.855×10-12 [F/m]이다.)
     1. 6.3×10-6 [N]
     2. 7.14×10-7 [N]
     3. 8×10-5 [N]
     4. 5.75×10-4 [N]

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12. 다음 중 거리 r에 반비례하는 것은?
     1. 무한장 직선전하에 의한 전계
     2. 구도체 전하에 의한 전계
     3. 전기쌍극자에 의한 전계
     4. 전기쌍극자에 의한 전위

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13. 전자유도법칙과 관계가 가장 먼 것은?
     1. 노이만의 법칙
     2. 렌쯔의 법칙
     3. 패러데이의 법칙
     4. 앙페르의 오른나사 법칙

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14. ∇⋅J = -∂ρ/∂t 에 대한 설명으로 옳지 않는 것은?
     1. "-" 부호는 전류가 폐곡면에서 유출되고 있음을 뜻한다.
     2. 단위 체적당 전하 밀도의 시간당 증가 비율이다.
     3. 전류가 정상 전류가 흐르면 폐곡면에 통과하는 전류는 영(ZERO)이다.
     4. 폐곡면에서 수직으로 유출되는 전류밀도는 미소체적인 한점에서 유출되는 단위 체적당 전류가 된다.

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15. 다음 그림은 콘덴서 내의 변위전류에 대한 설명이다. 이 콘덴서의 전극면적을 S[m2], 전극에 저축된 전하는 q[C], 전극의 표면전하 밀도를 σ[C/m2], 전극사이의 전속밀도를 D[C/m2]라 하면 변위전류밀도 id [A/m2]의 값은?

    

     1. id = ∂D/∂t [A/m2]
     2. id = ∂σ/∂t [A/m2]
     3.
     4.

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16. 내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부 자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?
     1. 강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질
     2. 강자성체 중에서 비투자율이 작은 물질
     3. 비투자율이 1 보다 작은 역자성체
     4. 비투자율에 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질

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17. 점전하에 의한 전위함수가 V = x2+y2 [V]로 주어진 전계가 있을 때 이 전계의 전기력선의 방정식은? (단, A는 상수이다.)
     1. xy = A
     2. y = Ax
     3. y = Ax2
     4.

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18. 매질이 완전 유전체인 경우의 전자 파동 방정식을 표시하는 것은?
     1.
     2.
     3.
     4.

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19. 다음 중 유전체에서 전자분극이 나타나는 이유를 설명한 것으로 가장 알맞은 것은?
     1. 단결정 매질에서 전자운과 핵의 상대적인 변위에 의한다.
     2. 화합물에서 (+) 이온과 (-) 이온 간의 상대적인 변위에 의한다.
     3. 단결정에서 (+) 이온과 (-) 이온 간의 상대적인 변위에 의한다.
     4. 영구 전기 쌍극자의 전계 방향의 배열에 의한다.

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20. 다음 중 폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명중 가장 알맞은 것은?
     1. 렌츠의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.
     2. 자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
     3. 유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.
     4. 전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.

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2과목 : 회로이론


21. 4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?
     1. h11 = 1y11
     2. h22 = Z22
     3. h12 = Z22/Z11
     4. H21 = y11/y21

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22. 고유저항 ρ , 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m 배, 길이는 n 배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
     1. m/n2
     2. m/n
     3. n/m
     4. n/m2

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23. R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
     1. ω = C/L
     2.
     3.
     4. ω = 1/C

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24. 다음 중 e-atsinωt의 라플라스 변환은?
     1. S+a/(S+a)22
     2. ω/(S-a)22
     3. ω/(S+a)22
     4. ω/(S+a)+ω

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25. 분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1[Ω], 분류기의 저항이 0.01[Ω]이면 그 배율은?
     1. 4
     2. 10
     3. 11
     4. 14

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26. 다음 중 정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?
     1. f(t) = f(t)
     2. f(t) = -f(t)
     3. f(t) = f(-t)
     4. f(t) = -f(-t)

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27. 1 neper는 약 몇 [dB] 인가?
     1. 3.146
     2. 8.686
     3. 7.076
     4. 6.326

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28. v(t) = 100sinωt[V]이고, i(t) = 2sin(ωt-π/3)[A]에 대한 평균 전력을 구하면 몇 [W] 인가?
     1. 25 [W]
     2. 50 [W]
     3. 75 [W]
     4. 125 [W]

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29. 다음 그림의 브리지가 평형 상태라면 C1의 값은?

    

     1. C1 = C2L1/L2
     2. C1 = C2L2/L1
     3. C1 = L1L2/C2
     4. C1 = L2/C2L1

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30. R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?
     1.
     2.
     3.
     4.

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31. 두 회로간의 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
     1. KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
     2. 테브낭의 정리 → 노튼 정리
     3. 전압원 → 전류원
     4. 폐로전류 → 절점전류

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32. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

    

     1. 중역 필터
     2. 대역 필터
     3. 저역 필터
     4. 고역 필터

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33. 다음 그림과 같은 회로의 구동점 임피던스가 정저항회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

    

     1. Z1/Z2 = R2
     2. Z2/Z1 = R
     3. Z1Z2 = R2
     4. Z1Z2 = R

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34. 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)

    

     1. 1+Z1/Z2
     2. Z1
     3. 1/Z2
     4. 1

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35. S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

    

     1. 발진하지 않는다.
     2. 점점 더 크게 발생한다.
     3. 지속 발진한다.
     4. 감쇠 진동한다.

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36. 다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A] 인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])

    

     1. 8.95
     2. 7.24
     3. 4.63
     4. 3.52

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37. R-L 직렬 회로에서 10[V]의 교류 전압을 인가하였을 때 저항에 걸리는 전압이 6[V]였다면 인덕턴스에 유기되는 전압은 몇 [V] 인가?
     1. 2
     2. 6
     3. 8
     4. 10

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38. 그림과 같은 회로에서 L1 = 3[H], L2 = 5[H], M=2[H]일 때 a, b 간의 인덕턴스는?

    

     1. 1.65 [H]
     2. 2.25 [H]
     3. 2.75 [H]
     4. 3.75 [H]

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39. 일 때, e1 + e2 의 실효치는 약 얼마인가?
     1.
     2.
     3.
     4.

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40. R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?
     1.
     2.
     3.
     4. R/2L = 1/LC

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3과목 : 전자회로


41. RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 [dB]로 감소시켜야 하는가?
     1. 0.5
     2. 4
     3. 6
     4. 12

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42. 다음 그림과 같은 연산회로의 출력전압 VO는?

    

     1.
     2.
     3.
     4.

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43. 그림 (a) 회로의 동작이 그림 (b)와 같다. 이 때 구간 A와 관련이 깊은 것은?

    

     1. 활성 영역
     2. 포화 영역
     3. 차단 영역
     4. (포화+차단) 영역

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44. 다음 회로와 가장 관련이 깊은 것은?

    

     1. 진폭 변조
     2. 진폭 복조
     3. 주파수 변조
     4. 주파수 복조

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45. 다음 그림의 회로에서 차동 증폭기의 출력 전압 VO는? (단, V2 = 4V1)

    

     1. 100 V1
     2. 120 V1
     3. 250 V1
     4. 300 V1

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46. 다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?

    

     1. 1 [mA]
     2. 1.5 [mA]
     3. 2 [mA]
     4. 4 [mA]

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47. 다음 회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? (단, C1, C2는 이 회로의 모든 동작주파수에서 단락회로로 동작한다고 가정한다.)

    

     1. 이 회로는 높은 내부전원 저항을 갖는 신호원을 낮은 임피던스 부하에 연결하는데 많이 사용된다.
     2. AC current follower로 AC 전류 증폭용으로 주로 사용된다.
     3. 전압이득 AV는 1보다 작으며, 1에 가까울수록 입력저항이 커진다.
     4. 저항 R1, R2는 직류입력전류를 비반전 단자에 흐르게 하는데 통로로 쓰인다.

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48. 궤환 증폭기에서 무궤환시 전압 이득이 100 이고, 고역 3[dB] 차단 주파수가 150[kHz] 일 때, 궤환시 전압이득이 10 이면 고역 3[dB] 차단 주파수는 몇 [kHz]인가?
     1. 15 [kHz]
     2. 100 [kHz]
     3. 1000 [kHz]
     4. 1500 [kHz]

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49. 전압이득이 60[dB]인 저주파 증폭기에서 출력신호의 비직선 일그러짐이 10[%]일 때, 이를 1[%]로 개선하기 위해 필요한 궤환율은 약 얼마인가?
     1. -10 [dB]
     2. -20 [dB]
     3. -40 [dB]
     4. -60 [dB]

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50. 다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)

    

     1. 출력증대
     2. 주파수 대역증대
     3. 바이어스 전압감소
     4. 동작점의 안정화

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51. FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 적을 크게 하려면?
     1. gm을 크게 한다.
     2. μ를 작게 한다.
     3. 부하저항을 작게 한다.
     4. 분포된 정전용량을 크게 한다.

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52. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.6[μA]에서 160[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]라 하면 안정도 계수 S(ICO)는 약 얼마인가?
     1. 1
     2. 2.3
     3. 6.3
     4. 12.5

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53. 베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?
     1. 조정이 어렵다.
     2. 변조효율이 좋다.
     3. 대전력 송신기에 적합하다.
     4. 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.

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54. 그림과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

    

     1. 감소한다.
     2. 증가한다.
     3. 1/hoe이 된다.
     4. 변함이 없다.

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55. 100[V]로 충전되어 있는 1[μF] 콘덴서를 1[MΩ]의 저항을 통하여 방전시키면 1초 후의 콘덴서 양단의 전압은? (단, 자연대수 e=2.71828 이다.)
     1. 약 100 [V]
     2. 약 63.2 [V]
     3. 약 36.8 [V]
     4. 약 18.4 [V]

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56. 2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?
     1. ASK 방식
     2. FSK 방식
     3. PSK 방식
     4. QAM 방식

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57. 부궤환 증폭기에서 궤환이 없을 때의 전압증폭 이득이 40[dB]이고, 입력 측으로의 궤환율 β = 0.03인 경우 이 부궤환 증폭기의 전압 이득은 얼마인가?
     1. 10
     2. 25
     3. 50
     4. 75

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58. 연산증폭기를 이용한 슈미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
     1. 톱니파를 만들기 위하여
     2. 정전기를 방지하기 위하여
     3. 입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
     4. 입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여

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59. 그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 신호 출력 전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)

    

     1. PO = (VCC)2/RL
     2. PO = (VCC)2/2RL
     3. PO = (VCC)2/4RL
     4. PO = (VCC)2/8RL

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60. 그림과 같은 트랜지스터 소신호 증폭기에서 입력 임피던스 Rin은 다음 중 어느 값에 가장 가까운가? (단, Rc = 5kΩ, Re = 2kΩ, Rs = 3kΩ, hie = 1kΩ, hfe = 50 이다.)

    

     1. 50 [kΩ]
     2. 100 [kΩ]
     3. 200 [kΩ]
     4. 300 [kΩ]

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4과목 : 물리전자공학


61. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
     1. 진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
     2. 캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.
     3. 불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항보다 크다.
     4. 열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재결합률은 같다.

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62. 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?
     1. 자속 밀도
     2. 전자의 전하
     3. 전자의 질량
     4. 전자의 속도

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63. 300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV] 인가?
     1. 0.02
     2. 0.08
     3. 0.2
     4. 0.8

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64. 순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우, 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
     1. 소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
     2. 금속 전도체와 같은 행동을 한다.
     3. 많은 수의 정공을 갖고 있다.
     4. 절연체와 같이 행동한다.

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65. P 채널 전계 효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
     1. 전자의 확산 현상
     2. 정공의 확산 현상
     3. 전자의 드리프트 현상
     4. 정공의 드리프트 현상

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66. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)
     1. P = λh
     2. P = h/λ
     3. P = λ/h
     4. λ = 1/Ph

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67. 서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
     1. 반도체의 일종이다.
     2. 온도제어 회로 등에 사용된다.
     3. 일반적으로 정(+)의 온도계수를 가진다.
     4. CTR(Critical Temperature Resistor)은 이것을 응용한 것이다.

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68. 반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?
     1. 전계와 반대 방향이다.
     2. 전계와 같은 방향이다.
     3. 전계와 직각 방향이다.
     4. 전계와 무관한 불규칙 운동을 한다.

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69. 운동 전자가 가지는 파장이 3×10-10 [m]인 경우, 그 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h = 6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m = 9.1×10-31[kg]
     1. 12×104 [m/s]
     2. 1.2×105 [m/s]
     3. 2.4×106 [m/s]
     4. 16×107 [m/s]

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70. 전자 방출에서 전계에 의해서 일함수가 작아져서 전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?
     1. Piezo 효과
     2. Seebeck 효과
     3. Hall 효과
     4. Schottky 효과

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71. 전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?
     1. 0 이 된다.
     2. 무한대가 된다.
     3. 정지 질량과 같다.
     4. 정지 질량보다 감소한다.

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72. 전자의 전체 에너지를 E, 운동량은 P라 하면 위치 에너지는?
     1.
     2.
     3.
     4.

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73. 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은?
     1. In
     2. Ga
     3. As
     4. B

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74. PN 접합의 공간 전하영역에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
     1. 다수 캐리어만 존재하는 영역이다.
     2. 소수 캐리어만 존재하는 영역이다.
     3. 다수 캐리어와 소수 캐리어가 모두 존재하는 영역이다.
     4. 움직일 수 없는 도너 이온과 억셉터 이온이 존재하는 영역이다.

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75. 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?
     1.
     2.
     3.
     4. 50

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76. 에너지 준위도에서 0 준위는?
     1. 페르미 준위
     2. 이탈 준위
     3. 금속내 준위
     4. 금속와 준위

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77. 컬렉터(collector) 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
     1. 얼리(early) 현상
     2. 항복(break down) 현상
     3. 열폭주(thermal runaway) 현상
     4. 펀치 스로우(punch through) 현상

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78. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?
     1. 확산에 의해서
     2. 드리프트에 의해서
     3. 컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
     4. 이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서

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79. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때, 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10-19 [C]이다.)
     1. 6.25×1016 [개]
     2. 6.25×1018 [개]
     3. 6.25×1020 [개]
     4. 6.25×1022 [개]

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80. 한 금속 표면에 6500[Å] 미만의 파장을 갖는 빛을 조사하였을 경우에만 광전자가 튀어 나왔다면 이 금속의 일함수는 약 얼마인가?
     1. 1.3 [eV]
     2. 1.9 [eV]
     3. 2.7 [eV]
     4. 4.2 [eV]

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81. 조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형은?
     1. 분기형
     2. 분류형
     3. 루프형
     4. 직선형

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82. 고속의 입ㆍ출력 장치에 사용되는 데이터 전송 방식은?
     1. 데이터 채널
     2. I/O 채널
     3. selector 채널
     4. multiplexer 채널

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83. 명령어의 수행 단계에 해당되지 않는 것은?
     1. 명령어를 메모리에서 가져온다.
     2. 명령의 내용을 디코딩 한다.
     3. 명령어를 조합한다.
     4. 명령어를 실행한다.

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84. 다음 주소비정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
     1. 3-주소지정 방식
     2. 2-주소지정 방식
     3. 1-주소지정 방식
     4. 0-주소지정 방식

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85. 다음 중 컴퓨터의 기본 구성 요소가 아닌 것은?
     1. 중앙연산처리장치
     2. 전달장치
     3. 제어장치
     4. 기억장치

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86. 스택(stack)에 대한 설명 중 옳은 것은?
     1. 가장 나중에 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
     2. 가장 먼저 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
     3. 저장한 순서에 관계없이 주소를 주면 자료를 읽을 수 있다.
     4. 스택포인터는 가장 먼저 저장된 자료의 위치를 표시한다.

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87. 시프트 레지스터에서 가장 시간이 적게 걸리는 입ㆍ출력 방식은?
     1. 직렬입력-직렬출력
     2. 직렬입력-병렬출력
     3. 병렬입력-직렬출력
     4. 병렬입력-병렬출력

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88. 다음 항목 중 마이크로 사이클의 동기 가변식(synchronous variable)에 대한 설명으로 옳은 것은?
     1. 제어가 간단하다.
     2. 모든 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간이 비슷할 때 유리하다.
     3. 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간 차이가 클 때 이용되는 방식이다.
     4. 모든 마이크로 오퍼레이션 중 가장 긴 것은 마이크로 사이클 타임으로 한다.

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89. 다음 RISC 방식의 CPU 구조에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
     1. 상대적으로 적은 수의 명령어를 사용한다.
     2. 기억장치 참조는 LOAD, STORE 명령으로만 제한된다.
     3. 일부 명령어는 특별한 동작만을 수행하여 자주 사용되지 않는 경우도 있다.
     4. 매 클록 사이클마다 하나의 명령어를 실행할 수 있다.

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90. 데이터 전송 방법 중에서 플로피디스크에 있는 자료들을 메모리로 옮기고자 할 경우 가장 효과적인 것은?
     1. Programmed 입ㆍ출력
     2. Interrupt 입ㆍ출력
     3. DMA(Direct Memory Access)
     4. RS232C

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91. C 언어에 대한 특징으로 옳지 않은 것은?
     1. 대ㆍ소문자를 구별한다.
     2. 범용 언어이며, 고급 언어이다.
     3. 포인터가 제공되고 주소계산 기능이 제공된다.
     4. 분할 컴파일 기능이 불가능하다.

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92. 서브루틴을 호출할 때 복귀 주소(return address)를 기억하는데 주로 사용하는 것은?
     1. 플래그
     2. 프로그램 카운터
     3. 스택
     4. ALU

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93. 캐시 메모리에서 사용되는 매핑(mapping) 방법이 아닌 것은?
     1. 세트-어소시에티브 매핑
     2. 어소시에티브 매핑
     3. 직접 매핑
     4. 간접 매핑

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94. 짝수 패리티 비트의 해밍(HAMMING) 코드는 0011011을 받았을 때 오류가 수정된 정확한 코드는?
     1. 0010001
     2. 001011
     3. 0111011
     4. 0011001

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95. shift 연산에서 binary number가 4번 shift-left한 경우의 number는?
     1. number×4
     2. number×16
     3. number÷4
     4. number÷16

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96. 다음 중앙처리장치에 속해 있는 레지스터(register)들에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
     1. 인스트럭션 레지스트(IR) : 수행하고자 하는 명령어를 가지며 프로그램 제어용 레지스터이다.
     2. 프로그램 카운터(PC) : 바로 전에 수행했던 인스트럭션의 주소를 기억한다.
     3. 인덱스 레지스터 : 기억내용은 자료가 아니고 주소이며 유효 주소를 계산하는데 필요한 자료를 기억한다.
     4. MAR(Memory Address Register) : PC에 저장된 명령어 주소가 일시적으로 저장되는 레지스터이다.

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97. JAVA 같은 객체지향 언어의 개념에서 객체가 메시지를 받아 실행해야 할 구체적인 연산을 정의한 것은?
     1. 클래스
     2. 인스턴스
     3. 메소드
     4. 상속자

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98. 부동소수점 표현의 수를 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 포함되지 않는 것은?
     1. 0(zero)인지 여부를 조사한다.
     2. 가수의 위치를 조정한다.
     3. 가수를 곱한다.
     4. 결과를 정규화한다.

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99. 다음 중 중앙처리장치 내의 부동소수점 연산만을 전문적으로 수행하는 장치는?
     1. coporcessor
     2. RAM
     3. ROM
     4. USB

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100. 컴퓨터에서 세계 각국의 언어를 통일된 방법으로 표현할 수 있게 제안된 국제적인 코드는?
     1. BCD 코드
     2. ASCII 코드
     3. UNICODE
     4. GRAY 코드

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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 CBT 2008년05월11일을 이용해 주셔서 감사합니다.
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