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9급 국가직 공무원 전자공학개론 필기 기출문제(해설) 및 전자문제집 CBT 2012년04월07일

1. 다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은?          1. A'B'C' ＋ ABD ＋ B'CD'      2. A'B'C' ＋ BD ＋ B'D'      3. A'B'C'D ＋ A'BD ＋ B'D'      4. A'B'C'D ＋ AB'D' ＋ BD      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 93%

2. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)      1. MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.      2. MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.      3. MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.      4. MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 80%       <문제 해설> 전자의 이동도는 온도에 따라 영향을 받고 문턱전압은 소스-바디 사이의 전압에 따라 변할 수 있다. 또한 MOSFET가 포화영역에서 동작할 때 유효채널길이는 Drain-Source 사이의 전압에 따라 변할 수도 있다. 온도가 상승할수록 전자의 운동속도가 빨라지게 되고 따라서 전자가 불순물 근처에 머무는 시간이 줄어들게 되고 진로 변경의 정도를 나타내는 scattering의 정도가 줄어들게 되므로써 온도가 올라가면 전자의 이동도는 증가하게 된다. [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

3. 테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)          1. 2.5 20/3      2. 2.5 10      3. 5 20/3      4. 5 10      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 62%

4. 면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?          1. 두 금속판 사이의 거리(d)를 2배로 늘려준다.      2. 두 금속판의 면적(A)을 2배로 늘려준다.      3. 두 금속판 사이에 유전율(ℇ)이 1/2인 물질로 채운다.      4. 두 금속판의 면적과 두 판 사이의 거리를 동시에 2배로 늘려준다.      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 88%

5. 펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은?      1. 32      2. 9.6      3. 64      4. 50      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 36%

6. 다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10V일 때, 20KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)          1. 0.05      2. 0.1      3. 0.5      4. 1      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 36%       <문제 해설> 입력 전압이 10V이므로, 10V/100KΩ = 0.1mA OP-AMP의 입력단자에 흘러가는 전류는 0이므로 20KΩ에 흐르는 전류는    0.1mA [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

7. 다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는?          1.      2.      3.      4.      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 67%

8. 논리식 (A＋B)(A＋B')(A'＋B)(A'＋B')을 간단히 한 결과는?      1. AB'＋A'B      2. AB＋A'B'      3. 0      4. 1      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 59%

9. 발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은?          1. ㄱ, ㄴ      2. ㄴ, ㄷ      3. ㄷ, ㄹ      4. ㄱ, ㄷ      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 55%

10. 다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다) (순서대로 m, R)           1. 0.8, 2/m2+2      2. 1.6, 2/m2+2      3. 0.8, m2/m2+2      4. 1.6, m2/m2+2      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 27%       <문제 해설> 변조도= 최대치-최소치/ 최대치+최소치 Pm= Pc (1+ m^2/2) [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

11. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?      1. ASK 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.      2. FSK 방식의 일종이다.      3. ASK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.      4. FSK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 75%

12. 다음 발진기의 명칭은?           1. 클랩 발진기      2. 콜핏츠 발진기      3. 하틀리 발진기      4. 이완 발진기      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 62%       <문제 해설> 클랩 발진기는 콜피츠 발진기의 변형으로 L옆에 또하나의 C(보통 가변 콘덴서)를 연결한 발진기이다. 클랩 발진기는 수정 발진기처럼 높은 주파수 안정도를 가지지만, 발진 주파수 범위와 발진 출력은 작다. [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

13. 다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE＝0.7 V, IC≃IE 이다)           1. 4      2. 5      3. 6      4. 7      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 74%

14. 다음 회로에서 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)           1. 0      2. 5      3. －10      4. 15      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 79%

15. 다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는?           1. 부츠트랩 회로      2. 블로킹 발진기      3. 슈미트 트리거      4. LC동조회로      정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 93%

16. 다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)           1. －2      2. －4      3. 2      4. 4      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 53%       <문제 해설> 앞단의 두 OP-AMP는 Buffer, V2의 입력이 V1보다 낮아 2R-Diode에는 전류가 흐르지 않는 OPEN 상태 V01은 0V, V02는 -1V 뒤의OP-AMP는 감산기 Vo= 2R/R (V02-V01) = 2* (-1-0)=-2V [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

17. D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L"이며, IN에 입력되는 논리값 시간 간격은 CLK 신호주기와 같다고 가정한다)           1. "L"→"H"→"L"→"L"→"H"→"L"      2. "L"→"L"→"H"→"H"→"L"→"L"      3. "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"      4. "L"→"L"→"L"→"L"→"H"→"L"      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 50%       <문제 해설> OUT1~4중 하나라도 L이면 OUT은 L가 출력된다. 그러므로, 초기 3번의 경우는 무조건 L가 출력된다. [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

18. 다음회로에서출력전압Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다)           1. 4      2. 8      3. 10      4. 12      정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 67%

19. 다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)           1. －VREF/2      2. －VREF      3. －2 VREF      4. －4 VREF      정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 56%       <문제 해설> 테브닌의 정리를 이용하여 등가전압과 등가전압을 구한다. [해설작성자 : comcbt.com 이용자]

20. 다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β＝100, VBE＝0.7V, RB＝200 KΩ, C1＝C2＝10㎌, VCC＝10.7 V 이다)           1. 0.8      2. 1.2      3. 3.3      4. 3.5      정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임      정답률 : 75%

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