자격증 필기 기출문제




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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 전자문제집 CBT 2008년03월02일


1. 그림에서 축전기를 ±Q로 대전한 후 스위치 k를 닫고 도선에 전류 I를 흘리는 순간의 축전기 두 판사이의 변위전류는?

   

     1. +Q판에서 -Q판쪽으로 흐른다.
     2. -Q판에서 +Q판쪽으로 흐른다.
     3. 왼쪽에서 오른쪽으로 흐른다.
     4. 오른쪽에서 왼쪽으로 흐른다.

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2. 변위전류에 의하여 전자파가 발생되었을 때 전자파의 위상은?
     1. 변위전류보다 90° 빠르다.
     2. 변위전류보다 90° 늦다.
     3. 변위전류보다 30° 빠르다.
     4. 변위전류보다 30° 늦다.

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3. 합성수지(εS = 4) 중에서의 전자파의 속도는 몇 [m/s]인가? (단, μS = 1 이다.)
     1. 1.5×107
     2. 1.5×108
     3. 3×107
     4. 3×108

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4. 진공내에서 전위함수가 V = x2 + y2과 같이 주어질 때, 점 (2,2,0)[m]에서 체적전하밀도 ρ는 몇 [C/m3 ]인가? (단, ε0는 자유공간의 유전율이다.)
     1. -4 ε0
     2. -2 ε0
     3. 4 ε0
     4. 2 ε0

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5. 다음 사항 중 옳지 않은 것은?
     1. 전계가 0 이 아닌 곳에서는 전력선과 등전위면은 직교한다.
     2. 정전계는 정전에너지가 최소인 분포이다.
     3. 정전대전 상태에서는 전하는 도체표면에만 분포한다.
     4. 정전계 중에서 전계의 선적분은 적분경로에 따라 다르다.

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6. 자기인덕턴스 L[H]인 코일에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 코일에 축적되는 에너지 W[J]와 전류 I[A] 사이의 관계를 그래프로 표시하면 어떤 모양이 되는가?
     1. 직선
     2.
     3. 포물선
     4. 타원

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7. 평행판 공기콘센서의 양극판에 +ρ [c/m2], -ρ [c/m2]의 전하가 충전되어 있을 때, 이 두 전극사이에 유전율 e[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가? (단, 유전체의 분극전하밀도를 +ρp [c/m2], -ρp [c/m2] 라 한다.)
     1. ρ+ρp0
     2. ρ-ρp0
     3.
     4. ρp0

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8. 유전체 내의 전계의 세기  와 분극의 세기 와의 관계를 나타내는 식은? (단, ε0는 자유공간의 유전율이며, εs 는 상대유전상수이다.)
     1. P = ε0s-1)E
     2. P = ε0εsE
     3. P = εs0-1)E
     4. P = ε(εs-1)E

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9. 그림과 같이 비투자율 μs = 1000, 단면적 10[cm2], 길이 2[m]인 환상철심이 있을 때, 이 철심에 코일을 2000회 감아 0.5[A]의 전류를 흘릴 때의 철심 내 자속은 몇 [Wb]인가?

   

     1. 1.26×10-3
     2. 1.26×10-4
     3. 6.28×10-3
     4. 6.28×10-4

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10. 자기모멘트 M[Wbㆍm]인 막대자석이 평등자계 H[A/m]내에 자계의 방향과 θ 의 각도로 놓여 있을 때 이것에 작용하는 회전력 T[Nㆍm/rad]는?
     1. MH cos θ
     2. MH sin θ
     3. MH tan θ
     4. MH cot θ

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11. 유전율 ε1 [F/m], ε2 [F/m]인 두 유전체가 나란히 접하고 있고, 이 경계면에 나란히 유전체 ε1 [F/m] 내에 거리 r [m]인 위치에 선전하 밀도 λ [c/m]인 선상 전하가 있을 때, 이 선전하와 유전체 ε2간의 단위길이당의 작용력은 몇 [N/m]인가?
     1.
     2.
     3.
     4.

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12. 비투자율 350인 환상철심 중의 평균자계의 세기가 280[A/m]일 때 자화의 세기는 약 몇 [Wb/m2]인가?
     1. 0.12 [Wb/m2]
     2. 0.15 [Wb/m2]
     3. 0.18 [Wb/m2]
     4. 0.21 [Wb/m2]

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13. 공기 중에 놓여진 직경 2m의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 [C]인가? (단, 공기의 절연내력은 3000 kV/m 이다.)
     1. 5.3×10-4
     2. 3.33×10-4
     3. 2.65×10-4
     4. 1.67×10-4

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14. 임의의 단면을 가진 2개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전율을 무한대라고 하면 C, L, ε 및 μ 사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위 길이당 정전용량, L은 두 도체를 한 개의 왕복회로로 한 경우의 단위 길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전율, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)
     1. C/ε = L/μ
     2. 1/LC = εㆍμ
     3. LC = εㆍμ
     4. Cㆍε = Lㆍμ

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15. 옴의 법칙(Ohm's law)을 미분형태로 표시하면? (단, i 는 전류밀도이고, ρ 은 저항율, E 는 전계이다.)
     1.
     2. i = ρE
     3. i = div E
     4. i = ∇E

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16. 정전계에서 도체의 성질을 설명한 것 중 옳지 않은 것은?
     1. 전하는 도체의 표면에서만 존재한다.
     2. 대전된 도체는 등전위면이다.
     3. 도체 내부의 전계는 0 이다.
     4. 도체 표면상에서 전계의 방향은 모든 점에서 표면의 접선 방향이다.

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17. 다음 ( ㉠ ), ( ㉡ )에 알맞은 것은?

    

     1. ㉠ 전압 ㉡ 전류
     2. ㉠ 전압 ㉡ 자속
     3. ㉠ 전류 ㉡ 자속
     4. ㉠ 자속 ㉡ 인덕턴스

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18. 자기모멘트 9.8×10-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평성분 125[AT/m]의 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 [J]인가?
     1. 1.23×10-3
     2. 1.03×10-5
     3. 9.23×10-3
     4. 9.03×10-5

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19. 강자성체의 히스테리시스 루프의 면적은?
     1. 강자성체의 단위 체적당의 필요한 에너지이다.
     2. 강자성체의 단위 면적당의 필요한 에너지이다.
     3. 강자성체의 단위 길이당의 필요한 에너지이다.
     4. 강자성체의 전체 체적의 필요한 에너지이다.

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20. 극판의 면적이 4[cm2], 정전용량이 1[pF]인 종이콘덴서를 만들려고 한다. 비유전율 2.5, 두께 0.01[mm]의 종이를 사용하면 종이는 약 몇 장을 겹쳐야 되겠는가?
     1. 87장
     2. 100장
     3. 250장
     4. 886장

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21. 그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?

    

     1. 1[A]
     2. 2[A]
     3. 4[A]
     4. 5[A]

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22. 다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t = 0 에서 i = 0 이다.)

    

     1.
     2.
     3.
     4.

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23. 콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 VC(t)는?
     1. VC(t) = 1/C
     2. VC(t) = C
     3.
     4. VC(t) = Cu(t)

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24. 다음 회로의 병렬공진 주파수는?

    

     1.
     2.
     3.
     4.

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25. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
     1. 20 [kVar]
     2. 40 [kVar]
     3. 60 [kVar]
     4. 80 [kVar]

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26. 그림과 같은 주기성으 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는?

    

     1. 2[A]
     2. 4[A]
     3. 2/3[A]
     4.

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27. 다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

    

     1. R = L/C
     2.
     3.
     4.

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28. 라플라스 변환식 F(S) = 1/S2+2S+5 의 역 변환은?
     1.
     2. e-tsin2t
     3. e-2tsin7t
     4.

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29. f(t) = sint cost 를 라플라스 변환하면?
     1. 1/S2+2
     2. 1/S2+4
     3. 1/(S+2)2
     4. 1/(S+4)2

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30. 다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?

    

     1. 3, 0
     2. -3, 0
     3. 1, -3
     4. -1, -3

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31. 그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab = 12[Ω]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?

    

     1. 3
     2. 4
     3. 5
     4. 6

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32. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
     1.
     2. 1+Z1/Z3
     3. 1+Z2/Z3
     4. 1/Z3

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33. 단자 외부에 연결되는 임피던스를 예상해서 도입되는 파라미터는?
     1. 반복 파라미터
     2. 영상 파라미터
     3. H 파라미터
     4. 임피던스 파라미터

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34. 다음 그림과 같은 회로에서 데브난 등가 저항은?

    

     1. 2 [Ω]
     2. 4 [Ω]
     3. 6 [Ω]
     4. 8 [Ω]

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35. 이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?
     1. 코일에 관계되는 손실이 0 이다.
     2. 두 코일간의 결합계수가 1 이다.
     3. 동손, 철손이 약간 있어야한다.
     4. 각 코일의 인덕턴스가 ∞ 이다.

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36. Y 결선한 이상적인 3상 평형전원에 관한 것으로 옳은 것은?
     1. 선간 전압의 크기 = 상 전압의 크기
     2. 선간 전압의 크기 = 상 전압의 크기×
     3. 선간 전류의 크기 = 상 전류의 크기×
     4. 상 전압의 크기 = 선간 전압의 크기×

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37. 리액턴스 함수가Z(s) = 3s/s2+9 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
     1.
     2.
     3.
     4.

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38. 차단 주파수에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
     1. 출력 전압이 최대값의 이 되는 주파수이다.
     2. 전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.
     3. 전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.
     4. 출력 전류가 최대값의 이 되는 주파수이다.

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39. R-L 직렬회로의 임피던스가 11.18[Ω]이고, L=10[mH]이다. 정현파 전압을 인가해서 전압이 전류보다 63.4° 만큼 위상이 빠르게 될 때의 R[Ω]과 ω [rad/sec]는 약 얼마인가? (단, tan 63.4° ≒ 2)
     1. R=5, ω=1000
     2. R=50, ω=1000
     3. R=50, ω=100
     4. R=5, ω=100

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40. 다음은 무엇에 대한 설명인가?

    

     1. 중첩의 원리
     2. 밀만의 정리
     3. 테브난의 정리
     4. 노튼의 정리

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41. 피어스 B-C glh로에 해당하는 LC 발진기는?
     1. 콜피츠형
     2. 하틀리형
     3. 이미터 동조형
     4. 베이스 동조형

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42. duty cycle 이 0.1이고, 주기가 20[μs]인 펄스의 폭은 얼마인가?
     1. 0.1 [μs]
     2. 0.2 [μs]
     3. 1 [μs]
     4. 2 [μs]

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43. 다음 차동증폭기 회로의 출력 VO로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)

    

     1.
     2.
     3.
     4.

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44. 그림과 같은 연산 증폭기의 출력 전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?

    

     1. Vo = 0
     2. Vo = AㆍVs
     3. Vo = Vs
     4. Vo = 1

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45. RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대한 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    

     1. 저역특성이 좋지 않다.
     2. 중역특성이 좋지 않다.
     3. 대역폭이 너무 넓다.
     4. 고역특성이 좋지 않다.

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46. 개방루프 전압이득 Av = 2000±150인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득이 ±0.2% 이내로 안정시키려면 궤환 계수 β를 약 얼마로 하면 되는가?
     1. 0.75
     2. 0.037
     3. 0.0183
     4. 0.0123

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47. α가 0.99, 차단주파수가 30[MHz]인 베이스접지 증폭회로를 이미터접지로 하였을 경우 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가?
     1. 0.1 [MHz]
     2. 0.3 [MHz]
     3. 1.2 [MHz]
     4. 3.0 [MHz]

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48. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위온도 변화로 2 [μA]에서 100[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[mA]라 하면 안정도 계수는 약 얼마인가? (단, VBE와 β는 일정하다.)
     1. 3.5
     2. 6.3
     3. 10.2
     4. 15.1

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49. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    

     1. Schmitt 트리거 회로
     2. 톱니파 발생 회로
     3. monostable 회로
     4. Astable 회로

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50. A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
     1. 충실도가 좋다.
     2. 효율은 50% 이하이다.
     3. 차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.
     4. 평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.

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51. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 rO와 가장 관련이 깊은 것은?

    

     1. 1
     2. 2
     3. 3
     4. 4

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52. 다음 중 B급 푸시풀 증폭기의 특징이 아닌 것은?
     1. 전력 효율이 높다.
     2. 큰 출력을 얻을 수 있다.
     3. 차단 상태 근처에 바이어스 되어있다.
     4. 입력 신호가 없을 때 전력 손실이 매우 크다.

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53. 트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
     1. 컬렉터 용량에만 비례한다.
     2. 베이스 폭과 컬렙터 용량에 각각 반비례한다.
     3. 컬렉터 인가 전압에 비례한다.
     4. 베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.

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54. 어떤 증폭기의 하측 3dB 주파수가 0.75[MHz]이고, 상측 3dB 주파수가 5[MHz]일 때 이 증폭기의 대역폭은?
     1. 4.25[MHz]
     2. 5[MHz]
     3. 7.75[MHz]
     4. 10[MHz]

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55. 부궤환에 의한 입력임피던스 변화를 잘못 설명한 것은?
     1. 전압 직렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
     2. 전류 직렬 궤환시 입력임피던스는 증가한다.
     3. 전압 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
     4. 전류 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.

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56. 아래 회로에서 제너다이오드가 정상적으로 동작하기 위한 RL의 최소값은 몇 [kΩ]인가?

    

     1. 1
     2. 2
     3. 3
     4. 4

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57. 증폭기에서 고조파 성분을 많이 포함하고 있어 주파수 체배기에 많이 사용되며 효율이 가장 좋은 것은?
     1. A급
     2. AB급
     3. B급
     4. C급

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58. 컬렉터 접지형 증폭기의 특징이 아닌 것은?
     1. 전류증폭도는 수십에서 수백 정도이다.
     2. 전압증폭도는 약 1 이다.
     3. 입ㆍ출력 전압의 위상은 동위상이다.
     4. 입력임피던스는 낮고, 출력임피던스는 높다.

     정답 : [4]☜ 블럭 설정하면 보임
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59. 병렬 공진 회로에서 공진 주파수가 10[kHz]이고, Q가 50이라면 이 회로의 대역폭은?
     1. 100 [Hz]
     2. 150 [Hz]
     3. 200 [Hz]
     4. 250 [Hz]

     정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임
     정답률 : 알수없음

60. 다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
     1. 수정편은 압전기현상을 가지고 있다.
     2. 수정편은 Q가 5000 정도로 매우 높다.
     3. 발진주파수는 수정편의 두께와 무관하다.
     4. 수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도특성이 달라진다.

     정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임
     정답률 : 알수없음

61. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?
     1. 2.97×107 [m/s]
     2. 9.07×107 [m/s]
     3. 2.97×106 [m/s]
     4. 9.07×106 [m/s]

     정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임
     정답률 : 10%

62. MOSFET의 전류-전압특성 곡선이 다음 그림과 같은 기울기를 갖는 이유는?

    

     1. 트랜지스터가 선형영역에서 동작하기 때문이다.
     2. 트랜지스터가 항복영역에서 동작하기 때문이다.
     3. 채널길이 변조효과 때문이다.
     4. 채널폭 변조효과 때문이다.

     정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임
     정답률 : 알수없음

63. LASER가 MASER와 근본적으로 다른 점은?
     1. 유도 방출에 의한다.
     2. 펌핑(pumping)에 의한다.
     3. 광의 증폭 및 발진에 이용된다.
     4. 반전 분포(population inversion)에 의한다.

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     정답률 : 알수없음

64. 0[°K]에서 금속 내 자유전자 평균 운동 에너지는? (단, EF는 페르미 준위이다.)
     1. 0
     2. EF
     3. 2/3EF
     4. 3/8EF

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     정답률 : 알수없음

65. 진성반도체에 있어서 전도대으 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?
     1. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
     2. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
     3. n은 Eg에 반비례한다.
     4. n은 Eg에 비례한다.

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     정답률 : 알수없음

66. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
     1. 충만대(filled band)
     2. 가전자대(valence band)
     3. 금지대(forbidden band)
     4. 전도대(conduction band)

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     정답률 : 알수없음

67. Pauli의 배타율 원리에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
     1. 원자내의 전자 배열을 지배하는 원리이다.
     2. 원자내에서 두 개의 전자가 동일한 양자 상태에 있을 수 있다.
     3. 하나의 양자 궤도에는 spin이 다른 두 개의 전자가 존재할 수 있다.
     4. 원자내에서 하나의 양자 상태에는 단지 1개의 전자만 존재할 수 있다.

     정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임
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68. n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?
     1. 2극관
     2. 3극관
     3. 4극관
     4. 5극관

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69. 반도체의 전자와 정공에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
     1. 자유전자는 정공보다 이동도가 더 크다.
     2. 전자의 흐름과 정공의 흐름은 반대이다.
     3. 전자와 정공이 결합하면 에너지를 흡수한다.
     4. 전자가 공유결합을 이탈하면 정공이 생성된다.

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70. 펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
     1. 이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
     2. 펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
     3. 컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
     4. 펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.

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     정답률 : 알수없음

71. MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
     1. 입력 임피던스가 크다.
     2. 저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
     3. 제작이 간편하고, IC화하기에 적합하다.
     4. 사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.

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72. Si 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될수 있는 것은?
     1. 인듐(In)
     2. 비소(As)
     3. 붕소(B)
     4. 알루미늄(Al)

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73. Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
     1. Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문에
     2. Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문에
     3. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에
     4. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

     정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임
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74. Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, Ef는 페르미 준위이다.)
     1. T = 0[°K]일 때 E>Ef 이면 f(E)=0 이다.
     2. T = 0[°K]일 때 E<Ef 이면 f(E)=1 이다.
     3. 절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.
     4. T = 0[°K]에서는 Ef보다 낮은 에너지 준위는 전부 전자로 채워있으며, Ef 이상의 준위는 전부 비어 있다.

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75. 다음 중 물질의 구성과 관계없는 요소는?
     1. 광자
     2. 중성자
     3. 양자
     4. 전자

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76. PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때의 특징이 아닌 것은?
     1. 전장이 약해진다.
     2. 전위장벽이 높아진다.
     3. 공간전하 영역의 폭이 좁아진다.
     4. 다수 캐리어에 의한 확산 전류는 증대된다.

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77. 운동 전자가 가지는 파장이 2.7×10-10 [m]인 경우 그 전자의 속도는? (단, 플랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31 [kg]이다.)
     1. 2.69×104 [m/s]
     2. 2.69×105 [m/s]
     3. 2.69×106 [m/s]
     4. 2.69×107 [m/s]

     정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임
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78. 다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?
     1. 광전 효과(photo electric effect)
     2. 콤프턴 효과(Compton effect)
     3. 에디슨 효과(Edison effect)
     4. 홀 효과 (Hole effect)

     정답 : [2]☜ 블럭 설정하면 보임
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79. 다음 중 터널다이오드(Tunnel Diode)의 I-V 특성을 나타낸 것은?
     1.
     2.
     3.
     4.

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80. 광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지에 대한 설명으로 옳은 것은?
     1. 광의 세기에 비례한다.
     2. 광의 속도에 비례한다.
     3. 광의 주파수에 비례한다.
     4. 광의 주파수에 반비례한다.

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81. 서브루틴에 대한 설명 중 옳은 것은?
     1. 서브루틴을 부른 주프로그램은 수행이 중단된다.
     2. 서브루틴의 수행이 끝나면 프로그램의 수행을 종료한다.
     3. 서브루틴의 수행이 끝나면 주프로그램은 처음부터 다시 수행한다.
     4. 서브루틴의 수행이 끝나명 주 프로그램의 수행도 종료한다.

     정답 : [1]☜ 블럭 설정하면 보임
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82. 패리티체크를 통한 오류 검출 방법에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
     1. 홀수 패리티체크는 비트 값이 1인 개수가 홀수가 되도록 한다.
     2. 짝수 패리티체크는 비트 값이 1인 개수가 짝수가 되도록 하는데 이때 체크 패리티의 부호 값을 포함해서 짝수가 되어야 한다.
     3. 두 비트가 동시에 에러를 발생해도 검출이 가능하다.
     4. 정보가 1110일 때 홀수 패리티체크에서 패리티발생기는 0 의 값을 발생한다.

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83. 2의 보수로 표현되는 수가 A, B 레지스터에 저장되어 있다. A←A-B 연산을 수행한 후의 A 레지스터는?

    

     1. 00000012
     2. FFFFFF12
     3. 000000B0
     4. FFFFFFB0

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84. 다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)

    

     1. Addition
     2. Subtraction
     3. Multiplication
     4. Division

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85. 직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?
     1. 단방향 방식(Simplex)
     2. 반이중 방식(Half-Duplex)
     3. 전이중 방식(Full-Duplex)
     4. 해당하는 방식이 없다.

     정답 : [3]☜ 블럭 설정하면 보임
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86. java 언어에서 같은 클래스 내에서만 접근 가능하도록 하고자 할 때 사용하는 접근 제한자(한정자)는?
     1. public
     2. private
     3. protected
     4. final

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87. 다음 중 레지스터 사이의 자료 전송 형태와 관계없는 것은?
     1. 직렬전송
     2. 간접전송
     3. 버스전송
     4. 병렬전송

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88. 다음 중 CPU의 메이저 상태 변환 순서가 틀린 것은?
     1. fetch-interrupt-execute-fetch
     2. fetch-execute-fetch
     3. fetch-indirect-execute-fetch
     4. fetch-execute-interrupt-fetch

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89. 마이크로컴퓨터에서 isolated I/O 방식과 비교하여 memory-mapped I/O 방식의 특징으로 옳은 것은?
     1. 하드웨어가 복잡하다.
     2. 기억장치명령과 입ㆍ출력 명령을 구별하여 사용한다.
     3. 기억장치의 주소 공간이 줄어든다.
     4. 입ㆍ출력 장치들의 주소 공간이 기억장치 주소 공간과 별도로 할당된다.

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90. 요구분석, 시스템설계, 시스템구현 등의 시스템 개발 과정에서 개발자간의 의사소통을 원활하게 이루어지게 하기 위하여 표준화한 모델링 언어는?
     1. EAL
     2. C#
     3. XML
     4. UML

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91. 부호화된 2의 보수에서 8비트로 표현할 수 있는 수의 표현 범위는?
     1. -128 ~ 128
     2. -127 ~ 128
     3. -128 ~ 127
     4. -127 ~ 127

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92. 여러 개의 축전기가 쌍으로 상호 연결되어 있는 회로로 구성되어 있으며, 디지털 스틸 카메라, 광학 스캐너, 디지털 비디오 카메라와 같은 장치의 주요 부품으로 사용되는 것은?
     1. CCD
     2. ROM
     3. PLA
     4. EPROM

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93. 다음 중 순서도의 유형이 아닌 것은?
     1. 직선형 순서도
     2. 분기형 순서도
     3. 반복형 순서도
     4. 교차형 순서도

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94. 다음은 어떤 명령어의 실행 주기인가?

    

     1. 덧셈(ADD)
     2. 뺄셈(SUB)
     3. 로드(LDA)
     4. 스토어(STA)

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95. 다음 중 누산기에 대한 설명으로 옳은 것은?
     1. 연산명령이 주어지면 연산준비를 하는 레지스터이다.
     2. 산술연산 또는 논리연산의 결과를 일시적으로 기억하는 레지스터이다.
     3. 연산명령의 순서를 기억하는 레지스터이다.
     4. 연산부호를 처리하는 레지스터이다.

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96. 다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대하여 가장 적절하게 설명한 것은?
     1. 명령어를 해석한다.
     2. UNIX 커널의 일부이다.
     3. 문서처리 기능을 갖는다.
     4. 디렉터리 관리 기능을 갖는다.

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97. 다음 중 자료 구조를 표현하는데 있어 나머지 3가지 표현방식의 단점을 보완한 선형 리스트는?
     1. queue
     2. stack
     3. deque
     4. linked list

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98. 다음의 소자 중에서 전원과 관련된 신호는 제외하고 연결선의 수가 가장 많은 것은?
     1. 1K×4bit DRAM
     2. 8K×4bit SRAM
     3. 4K×4bit DRAM
     4. 64K×4bit SRAM

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99. 4-단계 파이프라인구조의 컴퓨터에서 클럭주기가 1μs 일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?
     1. 10 μs
     2. 11 μs
     3. 12 μs
     4. 13 μs

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100. 어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?
     1. AND
     2. OR
     3. X-OR
     4. NOR

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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 CBT 2008년03월02일을 이용해 주셔서 감사합니다.
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