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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 전자문제집 CBT 2003년 05월 25일(1438583)1. | 자유공간 중에서 자계 H =xz2ax[A/m]일 때 0 ≤ x ≤ 1, 0≤z≤1, y=0인 면을 통과하는 전전류는 몇 A 인가? |
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2. | 균일한 자계에 수직으로 입사한 수소이온의 원운동의 주기는 2π×10-5 sec 이다. 이 균일 자계의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가? (단, 수소이온의 전하와 질량의 비는 2×107 C/kg 이다.) |
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3. | 무손실 전송회로의 특성 임피던스를 나타낸 것은? |
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5. | 그림과 같은 동축원통의 왕복 전류회로가 있다. 도체 단면에 고르게 퍼진 일정 크기의 전류가 내부 도체로 흘러 들어가고 외부 도체로 흘러 나올 때 전류에 의하여 생기는 자계에 대하여 옳지 않은 설명은? |
1. | 내부 도체내(r<a)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 비례한다. |
2. | 두 도체사이(내부공간)(a<r<b) 에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 반비례한다. |
3. | 외부 도체내(b<r<c)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 관계없이 일정하다. |
4. | 외부 공간(r>c)의 자계는 영(0)이다. |
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6. | 평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 2.4×10-7C/m2이고, 단위 체적 중의 에너지가 5.3×10-3J/m3 이었다. 이 유전체의 유전률은 몇 F/m 인가? |
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7. | 그림과 같이 구형의 자성체가 병렬로 접속된 경우 전체의 자기저항 RT는 몇 AT/Wb가 되겠는가?(단, 가로방향 즉, 200㎜방향임) |
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8. | 그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은?(단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.) |
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9. | 간격 d의 평행 도체판간에 비저항ρ인 물질을 채웠을 때 단위 면적당의 저항은? |
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11. | 진공내의 점(3,0,0)[m]에 4×10-9 C의 전하가 있다. 이 때 점(6,4,0)[m]의 전계의 크기는 몇 V/m 이며, 전계의 방향을 표시하는 단위벡터는 어떻게 표시되는가? |
1. | 전계의 크기: 36/25, 단위벡터: 1/5(3ax+4ay) |
2. | 전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 3ax+4ay |
3. | 전계의 크기: 36/25, 단위벡터: ax+ay |
4. | 전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 1/5(ax+ay) |
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12. | 진공 중에 선전하 밀도가 λ[C/m]로 균일하게 대전된 무한히 긴 직선도체가 있다. 이 직선도체에서 수직거리r[m]점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가? |
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14. | 평행한 두 도선간의 전자력은? (단, 두 도선간의 거리는 r[m]라 한다.) |
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15. | 자기인덕턴스 L1[H], L2[H]와 상호인덕턴스 M[H]와의 결합계수는? |
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16. | V=x2+y2[V]의 전위 분포를 갖는 전계의 전기력선의 방정식은? (단, A는 임의의 상수이다.) |
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17. | 지구는 태양으로부터 P[kW/m2]의 방사열을 받고 있다. 지구 표면에서의 전계의 세기는 몇 V/m 인가? |
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18. | 막대자석의 회전력을 나타내는 식으로 옳은 것은?(단, 막대자석의 자기모멘트 M [wb.m]와 균등자계 H [A/m]와의 이루는 각 θ는 0°<θ<90° 라 한다.) |
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19. | 균일하게 자화된 체적 0.01m3인 막대 자성체가 500A.m2인 자기모멘트를 가지고 있을 때, 이 막대 자성체의 자속밀도가 500mT이었다면 이 막대 자성체내의 자계의 세기는 몇 kA/m 인가? |
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20. | 전하 혹은 전류 중심으로부터 거리 R에 반비례하는 것은? |
1. | 균일 공간 전하밀도를 가진 구상전하 내부의 전계의 세기 |
2. | 원통의 중심축 방향으로 흐르는 균일 전류밀도를 가진 원통도체 내부의 자계의 세기 |
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21. | K형 여파기에 있어서 임피던스 Z1, Z2와 공칭 임피던스 K와의 관계는? |
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22. | 그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임.) |
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24. | 다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함) |
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25. | S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는? |
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26. | e1=20√2 sinωt, e2=50√2 cos(ωt-(π/6))일 때 e1+e2의 실효치는? |
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27. | 여러개의 기전력을 포함하는 선형 회로망내의 전류분포는 각 기전력이 단독으로 그의 위치에 있을 때 흐르는 전류 분포의 합과 같다는 것은? |
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28. | 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는? |
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29. | L1=20[H], L2=5[H]인 전자 결합회로에서 결합계수 K=0.5 일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 [H]인가? |
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30. | 시정수 τ 를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ 가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가? |
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33. | 저항 3[Ω], 유도리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[㎐]의 정현파 전압 180[V]를 가했을때 흐르는 전류의 실효치는? |
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34. | 가지(branch)의 수가 5, 마디(node)의 수가 4인 회로망의 모든 독립된 전류를 구하기 위하여 요구되는 키르히호프의 전압 법칙에 의한 방정식의 개수는 최소 몇 개라야 하는가? |
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35. | 다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은? |
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36. | 다음 회로에서 Vo(t)의 실효치 전압은? |
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39. | 다음 저역필터회로의 차단 주파수에서 전달함수의 값은? |
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40. | 그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S)는? |
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42. | FET에서 포화 드레인 전류(IDS)를 옳게 나타낸 식은? (단, IDSS는 VGS = 0 일 때 드레인 전류이다.) |
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44. | 그림과 같은 회로에서 Y1에서 얻어지는 결과는 무슨 게이트(gate)와 등가인가? |
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46. | 고주파 증폭기에서 α 차단 주파수(α cutoff frequency)는? |
2. | α 가 최대값의 0.707배 되는 곳의 주파수이다. |
3. | 입력과 출력이 동일하게 되는 곳의 주파수이다. |
4. | 출력 전력이 원래값의 1/5로 되는 곳의 주파수이다. |
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49. | 소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가? |
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50. | 다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은? |
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52. | 10112를 Gray Code로 변환하면? |
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53. | 그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는? |
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54. | 트랜지스터 캐스코드(cascode)회로를 이미터접지증폭기와 비교한 것 중 옳지 않은 것은? |
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55. | 이미터 접지 증폭기에서 입력 개방 출력 어드미턴스에 해당되는 h 파라미터는? |
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57. | 배타적 OR(Exclusive OR)과 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는? |
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58. | 2진수 1011.01101를 8 진수로 고친 것 중 옳은 것은? |
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61. | 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가? |
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62. | 서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은? |
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63. | 1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C]) |
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64. | 전자의 운동량(P)와 파장(λ ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은?(단, h는 Plank 상수) |
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65. | 정공의 확산 계수 Dp=55[cm2/sec]이고, 정공의 평균 수명τP=10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가? |
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66. | 펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? |
1. | 이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다. |
2. | 펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다. |
3. | 컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다. |
4. | 펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다. |
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67. | CCD(Charge-coupled device)의 동작 원리와 가장 유사한 동작 원리의 전자 소자는? |
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3. | 다수의 칩을 한데 묶어 LSI도 구성시킬 수 있다. |
4. | 동일한 칩에 트랜지스터, 다이오드, 저항, 콘덴서의 수용이 가능하다. |
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69. | 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은? |
1. | FET(Field Effect Transistor) |
2. | SCR(Silicon Controlled Rectifier) |
4. | UJT(UniJunction Junction Transistor) |
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70. | 스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는? |
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71. | 열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은? |
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73. | 열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은? |
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74. | 2차 전자 방출의 영향을 특히 억제토록 설계된 것은? |
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75. | Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? |
3. | 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다. |
4. | 0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다. |
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76. | 두 도체 또는 반도체의 폐 회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은? |
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77. | 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은? |
4. | Maxwell-Boltzmann 분포함수 |
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78. | P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도) |
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80. | 피에조 저항(piezo resistance)은? |
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81. | 다음 프로그램 중에서 성격이 전혀 다른 것은? |
1. | Data management program |
2. | Job management program |
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82. | 기억된 데이터의 내용에 의해서 그 위치를 접근하는 방식은? |
4. | Multiple Module Memory |
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83. | CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은? |
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84. | 스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령 형식과 가장 관계가 깊은 것은? |
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85. | 단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은? |
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86. | 컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가? |
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87. | 어셈블리 언어로 프로그래밍 할 때 서브루틴 사용시 미리 고려할 사항이 아닌 것은? |
3. | 레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다. |
4. | 서브루틴 실행 후 복귀(return) 번지를 결정한다. |
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88. | 10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가? |
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89. | 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은? |
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90. | 데이터 흐름을 중심으로 시스템 전체의 작업 내용을 총괄적으로 표시하는 순서도는? |
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3. | C 언어 자체에는 입ㆍ출력 기능이 없다. |
4. | 데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다. |
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92. | 인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원등의 요인에 의해 발생되는 인터럽트는? |
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93. | 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입ㆍ출력하는 방식은? |
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94. | 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선 순위가 높은 순서로 연결하는 방식은? |
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95. | 희박한 행렬(sparse matrix)을 표현하는 방법으로 적합한 자료구조는? |
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96. | 65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가? |
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98. | 특정의 비트 또는 문자를 삭제하기 위한 적의 연산 방법은? |
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100. | 조합(combinational) 논리 회로에 대해 설명한 것은? |
1. | 출력 신호가 입력 신호에 의해서만 결정되는 논리 회로이다. |
2. | 플립플롭과 같은 기억 소자를 갖고 있는 논리 회로이다. |
3. | 출력 신호가 입력 신호와 현재의 논리 회로의 상태에 의해 결정되는 논리 회로이다. |
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