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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 CBT 2016년05월08일1. | 자기모멘트 9.8×10-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평성분 10.5[AT/m]인 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 J 인가? |
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2. | 그림과 같이 반지름 10[cm]인 반원과 그 양단으로부터 직선으로 된 도선에 10[A]의 전류가 흐를 때. 중심 0에서의 자계의 세기와 방향은? |
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3. | 전자파의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은? |
2. | 전파 Ex를 고유임피던스로 나누면 자파 Hy가 된다. |
3. | 전파 Ex와 자파 Hy의 진동방향은 진행 방향에 수평인 종파이다. |
4. | 매질이 도전성을 갖지 않으면 전파 Ex와 자파 Hy는 동위상이 된다. |
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4. | 무한히 넓은 두 장의 평면판 도체를 간격 d(m)로 평행하게 배치하고 각각의 평면판에 면전하밀도 ±σ(C/m2)로 분포되어 있는 경우 전기력선은 면에 수직으로 나와 평행하게 발산한다. 이 평면판내부의 전계의 세기는 몇 V/m 인가? |
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5. | 패러데이 관에 대한 설명으로 틀린 것은? |
4. | 관 양단에 양(+), 음(-)의 단위전하가 있다. |
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6. | 쌍극자모멘트가 M(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 점 P의 전계는 에서 어떻게 되는가? (단, θ는 전기쌍극자의 중심에서 축 방향과 점 P를 잇는 선분의 사이 각이다.) |
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7. | 평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 4.8×10-7[C/m2]이고 단위체적당 정전에너지가 5.3×10-3[J/m3 ]이었다. 이 유전체의 유전율은 몇 F/m 인가? |
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8. | 환상 철심에 권선수 20인 A코일과 권선수 80인 B코일이 감겨 있을 때, A코일의 자기인덕턴스가 5[mH]라면 두 코일의 상호인덕턴스는 몇 mH인가? (단, 누설자속은 없는 것으로 본다.) |
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2. | 포아송의 방정식 : |
4. | 발산의 정리 : |
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10. | 자기회로에서 키르히호프의 법칙에 대한 설명으로 옳은 것은? |
1. | 임의의 결합점으로 유입하는 자속의 대수합은 0이다. |
2. | 임의의 폐자로에서 자속과 기자력의 대수합은 0이다. |
3. | 임의의 폐자로에서 자기저항과 기자력의 대수합은 0이다. |
4. | 임의의 폐자로에서 각 부의 자기저항과 자속의 대수합은 0이다. |
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11. | W1과 W2의 에너지를 갖는 두 콘덴서를 병렬 연결한 경우의 총 에너지 W와의 관계로 옳은 것은? (단, W1≠W2이다.) |
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12. | 한 변이 L(m)되는 정사각형의 도선회로에 전류 I(A)가 흐르고 있을 때 회로 중심에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가? |
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13. | 자유공간 중에 x=2, z=4인 무한장 직선상에 ρL(C/m)인 균일한 선전하가 있다. 점(0,0,4)의 전계 E(V/m)는? |
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15. | 단면적 S(m2), 단위 길이당 권수가 n0(회/m)인 무한히 긴 솔레노이드의 자기인덕턴스(H/m)를 구하면? |
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2. | 투자율이 크면 표피효과가 적게 나타난다. |
3. | 표피효과에 따른 표피저항은 단면적에 비례한다. |
4. | 도전율이 큰 도체에는 표피효과가 적게 나타난다. |
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18. | 두 종류의 유전율(Є1, Є2)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ1, θ2는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E1, E2가 이루는 각이다.) |
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20. | 전위 V=3xy+z+4일 때 전계 E는? |
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21. | 직렬공진 대역통과 필터에서 공진주파수에서의 최대 전류가 20[mA]일 때 차단 주파수에서의 전류값은 몇 mA 인가? |
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22. | 감쇄되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 것은? |
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23. | 이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은? |
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24. | 그림과 같은 브리지 회로가 평형이 되기 위한 의 값은? (단, G는 검류계이다.) |
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25. | 리액턴스 함수가 으로 표시되는 리액턴스 2 단자망에 대한 설명 중 틀린 것은? |
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26. | t의 함수 f(t)=f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는? |
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28. | 로 주어지는 2단자 회로망에 직류 전압 5[V]를 인가 시 회로망에 흐르는 정상상태에서의 전류는 몇 A 인가? (단, s+jw이다.) |
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30. | 100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력이 25[W]이면 이 형광등의 역률은 몇 % 인가? |
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31. | 그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압방정식 B는 몇 개인가? |
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32. | 델타 함수의 시간 지연인 δ(t-t0)의 Fourier 변환은? |
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33. | 무손실 분포정수 선로의 특성 임피던스 ZO는? |
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34. | R-L 직렬회로에서 L은 0.4[H], R은 2[Ω]일 때 시정수는 몇 ms 인가? |
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35. | 이상적인 전압원의 내부 임피던스 Z는? |
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36. | 대칭 4단자 망에 관한 내용으로 옳은 것은? |
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37. | 다음 회로가 모든 주파수에서 공진하기 위한 저항 R의 값은 몇 Ω 인가? |
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38. | 콘덴서와 코일에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은? |
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39. | 어떤 콘덴서의 회로에 커패시턴스를 2배로 하고, 주파수를 1/5로 하면 흐르는 전류는 어떻게 되는가? (단, 커패시턴스 양단 전압은 일정하다.) |
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41. | 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은? |
1. | RTL(Resistor-Transistor-Logic) 게이트 |
2. | TTL(Transistor-Transistor-Logic) 게이트 |
3. | DTL(Diode-Transistor-Logic) 게이트 |
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43. | 전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는? |
1. | X-OR 1개, AND 2개, OR 2개 |
2. | X-OR 2개, AND 1개, OR 2개 |
3. | X-OR 2개, AND 2개, OR 1개 |
4. | X-OR 2개, AND 2개, OR 2개 |
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44. | B급 푸시풀 증폭기 회로에서 최대 평균전력은 몇W 인가? |
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45. | 트랜지스터의 컬렉터 전류에 대한 설명으로 옳은 것은? |
3. | 컬렉터 전류는 이미터 전류와 베이스 전류를 합한 것과 같다. |
4. | 컬렉터 전류는 이미터 전류와 베이스 전류를 합한 것보다 크다. |
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46. | 계수기의 현재 출력이 QA=0, QB=1, QC=1일 때 그 다음 출력으로 가장 적합한 것은? |
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47. | 연산증폭기 회로에서 R1=10[kΩ], R2=100[kΩ]일 때 귀환율(β)은 약 얼마인가? |
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48. | 그림과 같은 회로의 발진 주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, C1=200pF, C2=100pF, L=10mH, π=3.14이다.) |
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49. | 푸시풀(push-pull) 전력 증폭기가 왜곡이 적은 큰 출력을 얻을 수 있는 주된 원인은? |
2. | 기수(홀수) 고조파가 상쇄되어 없어지므로 |
3. | 우수(짝수) 고조파가 상쇄되어 없어지므로 |
4. | 기수 고조파와 우수 고조파가 상쇄되어 없어지므로 |
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50. | 연산 증폭기 회로에서 부귀환을 사용하여 얻을 수 있는 장점이 아닌 것은? |
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51. | 그림의 회로에서 부하 저항 RL에 흐르는 전류는 몇 mA 인가? |
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54. | 적분기와 미분기의 귀환 소자를 옳게 나열한 것은? |
3. | 적분기 : 제너다이오드, 미분기 : 저항 |
4. | 적분기 : 커패시터, 미분기 : 커패시터 |
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55. | 그림과 같은 콘덴서 입력형 π형 필터에서 작은 맥동률이 나타나게 설계하기 위한 L, C의 값으로 옳은 것은? |
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58. | 전력 이득을 가장 크게 얻을 수 있는 결합 방식은? |
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59. | 이미터 플로워(Emitter Follower) 증폭기에서 입력 신호에 대하여 그림과 같은 출력 전류 신호를 얻었다면 어떤 방식에 해당되는가? |
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60. | 정전압 전원회로에서 무부하시의 단자전압이 13[V], 전부하일 때의 단자전압이 10[V]라면 전압변동률은 몇 % 인가? |
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61. | Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은? |
1. | 원자내의 전자 배열을 지배하는 원리이다. |
2. | 원자내에서 두 개의 전자가 동일한 양자 상태에 있을 수 있다. |
3. | 하나의 양자 궤도에 spin이 다른 두 개의 전자가 존재할 수 있다. |
4. | 원자내에 존재하는 어떠한 전자도 네 개의 양자수가 전부 같을 수는 없다. |
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62. | 반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도 방향은? |
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63. | 기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가? |
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64. | 실리콘 PN 접합에서 단면적이 0.1[mm2], 공간전하 영역 폭이 2×10-4[cm]일 때 공간전하 용량은 약 얼마인가? (단, Si의 비유전율은 12, ε0=8.85×10-12[F/m]) |
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65. | 정공의 확산계수를 Dp, 정공의 확산거리가 Lp로 주어졌을 때, 정공의 평균수명시간 τp를 나타낸 식은? |
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66. | 페르미준위 Ef에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포 함수의 값은? |
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67. | PN 접합 양측에 불순물 함유량이 많을 경우에 일어나는 현상이 아닌 것은? |
3. | 접합부분에서 P형의 가전자 대역과 N형 전도대역 사이의 거리가 감소한다. |
4. | 낮은 역방향 전압에서도 역방향 전류가 급격히 증가한다. |
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68. | 펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? |
2. | 컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다. |
3. | 베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치 스루현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다. |
4. | 회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다. |
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69. | 다음 중 어떤 에너지 준위에 입자가 존재할 확률을 의미하는 분포함수가 아닌 것은? |
2. | Maxwell-Boltzmann 분포함수 |
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70. | 터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은? |
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71. | 트랜지스터의 제조에서 에피택시얼 층(epitaxia layer)이 많이 사용되는 이유는? |
3. | 낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서 |
4. | 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서 |
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72. | Fermi 준위에 대한 설명으로 올바른 것은? |
1. | 진성반도체의 Fermi 준위는 전도대의 중앙에 위치한다. |
2. | n형 반도체의 Fermi 준위는 불순물 농도와 상관없이 일정하다. |
3. | 진성반도체의 Fermi 분위는 온도에 관계없이 일정하다. |
4. | p형 반도체의 Fermi 준위는 불순물 농도와 상관없이 일정하다. |
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73. | 진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은? |
2. | 운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다. |
3. | Fermi 준위는 온도와 관계없이 금지대의 중앙에 위치한다. |
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74. | 빛의 파장이 1[Å]일 때 광자의 에너지는? |
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75. | pn접합 다이오드의 확산 용량(diffusion capacitance)에 관한 설명으로 옳은 것은? |
2. | 다수 캐리어의 확산작용에 의한 용량이다. |
3. | 순바이어스에 의하여 주입된 소수 캐리어에 의한 용량이다. |
4. | 역바이어스에 의한 소수 캐리어의 확산작용에 의한 용량이다. |
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76. | 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)를 베이스 접지하고 컬렉터 전압을 일정하게 유지하며 이미터 전류를 4[mA] 변화시킬 때 컬렉터 전류가 3.8[mA] 변화하였다. 이 트랜지스터의 전류 증폭률 α와 β는? |
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77. | 금속의 광전자 방출에 관한 설명으로 옳은 것은? |
1. | 방출된 전자의 에너지는 빛의 세기에 비례한다. |
2. | 방출된 전자의 에너지는 금속의 일함수에 비례한다. |
3. | 방출된 전자의 에너지는 빛의 주파수에 비례한다. |
4. | 금속 내에서는 일함수가 없으므로 입사광 에너지가 모두 방출된다. |
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78. | 평형 상태에서 n형 불순물 반도체의 홀(hole) 농도를 나타낸 것은? (단, ni: 진성반도체의 캐리어 밀도 Nd: 도너 농도이다. |
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79. | 핀치오프 전압 VP이 -4[V]이고, VGS가 0일 때 드레인 전류 IDSS가 8[mA]인 JFET에서 VGS가 -1.8[V]일 때 드레인 전류는 몇 mA 인가? |
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80. | 페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는? |
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81. | 프로그래밍 언어 중 객체지향언어가 아닌 것은? |
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82. | 데이터 버스 폭이 32비트이고 버스 클럭 주파수가 10[MHz]일 때 버스 대역폭은? |
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83. | 처리 능력을 향상시키기 위한 방법이 아닌 것은? |
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84. | 인터럽트 동작의 수행 순서를 올바르게 나열한 것은? |
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85. | 컴퓨터의 명령어 분류 방식에서 반드시 누산기(Accumulator)를 사용하는 방식은? |
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86. | 외부 인터럽트(External Interrupt) 발생 원인이 아닌 것은? |
1. | Machine Check Interrupt |
3. | Program Check Interrupt |
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88. | 한
word가 24비트로 이루어지고 총 32768개의 word를 가진 기억장치가 있다. 이 기억장치를 사용하는 컴퓨터 시스템의
MBR(Memory Buffer Register), MAR(Memory Address Register), PC(Program
Counter)에 필요한 각각의 비트수는? |
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1. | ALU(Arithmetic Logic Unit) |
3. | RAM(Random Access Memory) |
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90. | 입ㆍ출력 데이터 전송 시 중앙처리장치의 레지스터를 경유하지 않고 수행되는 방식은? |
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91. | 다음 운영체제(OS)의 구성요소 중 제어 프로그램(Control Program)에 포함되지 않는 것은? |
1. | Data management program |
2. | Job management program |
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92. | 행의 수가 7이고 열의 수가 5인 7×5 이차원 배열(array) a의 각 자료의 위치는 a[행][열]로 표시한다. 행주도순서(row major order)를 사요하고 a[1][1]이 1번지일 때 a[3][4]는 몇 번지인가? |
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93. | 자료의 내부적인 표현과 관련이 없는 것은? |
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94. | 어떤 특정한 비트 또는 분자를 삭제할 때 사용하는 연산은? |
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95. | 2진수 데이터를 산술적 시프트(Shift)하여 오른쪽으로 4번 이동하면? (단, 읽어버린 비트와 새로 들어온 비트는 모두 0이다.) |
1. | 시프트 이전 값이 곱하기 2-4 (2의 -4승)한 값이 된다. |
2. | 시프트 이전 값이 곱하기 24 (2의 4승)한 값이 된다. |
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96. | 16진수 A3B(16)를 10진수로 변환한 것은? |
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97. | 복수 모듈 기억장치는 데이터를 전달할 때 어떤 개념을 사용하는가? |
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98. | 흐름도(Flow Chart)의 필요성으로 거리가 먼 것은? |
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99. | 중앙처리장치의 네 가지 상태에 해당되지 않는 것은? |
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100. | 일반적인 명령어 형식을 나타낸 것은? |
2. | 연산자(OP 코드)와 오퍼랜드(Operand) |
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전자기사 필기 기출문제(해설) 및 CBT 2016년05월08일을 이용해 주셔서 감사합니다.